[发明专利]高频放大电路以及半导体装置在审
| 申请号: | 201910132295.0 | 申请日: | 2019-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN110661497A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
| 发明(设计)人: | 濑下敏树;栗山保彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号: | H03F3/19 | 分类号: | H03F3/19 |
| 代理公司: | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 牛玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电感器 切换器 并联连接 电阻 高频输入信号 基准电位节点 输入信号路径 晶体管漏极 晶体管 放大 电容器 高频放大电路 输出信号路径 晶体管放大 晶体管源极 基准电位 输出信号 源极接地 栅极接地 衰减器 | ||
1.一种高频放大电路,其中,具备:
源极接地的第1晶体管,对高频输入信号进行放大;
栅极接地的第2晶体管,对由所述第1晶体管放大后的信号进行进一步放大而生成输出信号;
第1电感器,连接在所述第1晶体管的源极与第1基准电位节点之间;
第2电感器,连接在所述第2晶体管的漏极与第2基准电位之间;
第1切换器,对是否在所述高频输入信号被输入的节点和从所述节点至所述第1晶体管的栅极的输入信号路径上连接第1衰减器进行切换;
第2切换器,对是否在所述输入信号路径与所述第1基准电位节点之间连接第1电阻进行切换;
第3切换器,从并联连接于所述第2电感器的多个第2电阻之中选择至少一个第2电阻;以及
第4切换器,从并联连接在与所述第2晶体管的漏极相连的输出信号路径上的多个第1电容器之中选择至少一个第1电容器。
2.如权利要求1所述的高频放大电路,其中,
所述第1切换器、所述第2切换器、所述第3切换器以及所述第4切换器进行与从增益各不相同的多个增益模式之中选择的增益模式相应的切换。
3.如权利要求1所述的高频放大电路,其中,
具备第5切换器,该第5切换器对是否由第2衰减器来使通过了由所述第4切换器选择出的第1电容器的信号衰减进行切换,
所述第1切换器、所述第2切换器、所述第3切换器、所述第4切换器以及所述第5切换器进行与从多个增益模式之中选择的增益模式相应的切换。
4.如权利要求1所述的高频放大电路,其中,
具备并联连接于所述第1电阻的第2电容器,
所述第2切换器对是否在所述输入信号路径与所述第1基准电位节点之间连接所述第1电阻与所述第2电容器的并联电路进行切换。
5.如权利要求1所述的高频放大电路,其中,
具备第6切换器,该第6切换器对是否在所述第1晶体管以及所述第2晶体管的连接节点连接非线性补偿电路进行切换,该非线性补偿电路对从所述输出信号路径输出的输出信号相对于所述高频输入信号的非线性进行补偿,
所述第1切换器、所述第2切换器、所述第3切换器、所述第4切换器以及所述第6切换器进行与从多个增益模式之中选择的增益模式相应的切换。
6.如权利要求5所述的高频放大电路,其中,
所述非线性补偿电路具有:
串联连接在第3基准电位与第4基准电位之间的第1整流电路以及第3电阻;
串联连接在所述第3基准电位与所述第4基准电位之间的第4电阻以及第2整流电路;
第3电容器,连接在所述第1晶体管和所述第2晶体管的连接节点与所述第1整流电路和所述第3电阻的连接节点之间;以及
第4电容器,连接在所述第1晶体管和所述第2晶体管的连接节点与所述第4电阻和所述第2整流电路的连接节点之间。
7.如权利要求1所述的高频放大电路,其中,
所述第1切换器串联地连接于在所述输入信号路径上连接的第3电感器。
8.如权利要求7所述的高频放大电路,其中,
具备对是否在所述第3电感器上并联地连接第5电阻进行切换的第7切换器,
所述第1切换器、所述第2切换器、所述第3切换器、所述第4切换器以及所述第7切换器进行与从多个增益模式之中选择的增益模式相应的切换。
9.如权利要求1所述的高频放大电路,其中,
具备第8切换器,该第8切换器对是否在所述第1晶体管的栅极与第5基准电位节点之间连接将第5电容器以及第6电阻串联连接而成的串联电路进行切换。
10.如权利要求9所述的高频放大电路,其中,
在选择了所述多个增益模式中的最小的增益模式的情况下,所述第8切换器将所述串联电路连接在所述第1晶体管的栅极与所述第5基准电位节点之间。
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