[发明专利]有机发光二极管装置和其中包括的电荷产生层用化合物

权利要求书

1.一种有机发光二极管装置，包括：

第一电极；

与所述第一电极相对设置的第二电极；

m个发光单元，其中m为2或更大的整数，所述m个发光单元设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括至少一个发光层；以及

m-1个电荷产生层，所述m-1个电荷产生层各自插入所述m个发光单元的两个相邻发光单元之间；

其中所述m-1个电荷产生层中的至少一个包括由下式1表示的化合物：

式1

Y₂Y₁B-M(X)_a

其中：

M为选自由第1族金属、第2族金属、过渡金属、后过渡金属、镧系元素和锕系元素组成的组中的具有4.0eV或更低的功函的金属；

X为选自由F、Cl、Br和I组成的组中的卤族元素；

a为1至4范围内的自然数；并且

Y₁和Y₂相同或不同，并且各自独立地为选自由以下组成的组中的一种或多种：卤素、羟基、硝基、氰基、胺基、C₁-C₄₀烷基、C₆-C₄₀芳基和五元至四十元杂芳基，或者它们可以与相邻基团键合以形成稠环，条件是Y₁和Y₂中的至少一个为C₆-C₄₀芳基或五元至四十元杂芳基；并且

其中所述烷基、所述芳基和所述杂芳基各自为未取代的或被一个或多个选自由以下组成的组中的取代基取代：卤素、氰基、硝基、C₁-C₄₀烷基、C₆-C₄₀芳基、五元至四十元杂芳基、C₆-C₄₀芳氧基、C₆-C₄₀芳基氧化膦基和C₆-C₄₀芳胺基，并且如果所述取代基的数量为多个，则它们可以相同或不同。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中由式1表示的所述化合物为包括含硼化合物和金属卤化物的电荷转移络合物。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管装置，其中所述含硼化合物与所述金属卤化物之间的含量比为按重量计0.5-50:50-95.5。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中由式1表示的所述化合物与相邻的式1的化合物键合而形成簇，并且所述簇包括至少一个含有所述硼和所述金属M的杂环。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述m-1个电荷产生层中的每个包括至少一种主体和至少一种掺杂剂，并且所述至少一种主体和至少一种掺杂剂中的一种是由式1表示的所述化合物。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述m个发光单元与所述m-1个电荷产生层交替设置，并且所述m个发光单元中的两个发光单元分别与所述第一电极和所述第二电极相邻设置。

7.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中：

所述m个发光单元中的每个包括空穴传输区、发光层和电子传输区；

所述空穴传输区包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个；并且

所述电子传输区包括电子注入层和电子传输层中的至少一个。

8.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中：

所述m-1个电荷产生层中的每个包括n型电荷产生层和p型电荷产生层；

所述n型电荷产生层与所述m个发光单元中的每个的所述电子传输区相邻设置；并且

所述p型电荷产生层与所述m个发光单元中的每个的所述空穴传输区相邻设置。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管装置，其中所述n型电荷产生层包括选自由第1族金属、第2族金属、镧系元素和锕系元素组成的组中的具有4.0eV或更低的功函的金属。