[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910128639.0 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110197799B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 上野隆二;砂本昌利 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
1.一种半导体制造装置，其在保持于能够对多个晶片进行保持的载体的各所述晶片所具有的被镀面形成镀膜，
该半导体制造装置具有：
整流机构，其包含各自设置有多个通孔的多个整流板，该整流机构保持于所述载体；
浸渍槽，其储存用于形成所述镀膜的药液，对所述多个晶片和所述整流机构进行保持的所述载体浸渍于所述药液；以及
驱动装置，其在以相对于各所述晶片的所述多个通孔的位置保持为恒定的方式将所述多个晶片和所述整流机构保持于所述载体的状态下，使浸渍于所述浸渍槽的所述载体摆动，
所述多个整流板以各所述整流板和各所述晶片一片一片地交替保持于所述载体的方式配置。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
所述驱动装置使所述载体摆动的方向为与各所述晶片的所述被镀面平行的方向。
3.一种半导体装置的制造方法，其在保持于能够对多个晶片进行保持的载体的各所述晶片所具有的被镀面形成镀膜，
在该半导体装置的制造方法中，
准备对整流机构进行保持的所述载体，该整流机构包含各自设置有多个通孔的多个整流板，
在储存有用于形成所述镀膜的药液的浸渍槽中，使对所述多个晶片和所述整流机构进行保持的所述载体浸渍于所述药液，
在以相对于各所述晶片的所述多个通孔的位置保持为恒定的方式将所述多个晶片和所述整流机构保持于所述载体的状态下，使浸渍于所述浸渍槽的所述载体摆动，在所述被镀面形成所述镀膜，
所述多个整流板以各所述整流板和各所述晶片一片一片地交替保持于所述载体的方式配置。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
使所述载体摆动的方向为与各所述晶片的所述被镀面平行的方向。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其中，
在准备对所述多个晶片和所述整流机构进行保持的所述载体之前，通过等离子体将各所述晶片的所述被镀面洁净化。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述等离子体包含氧或氩。
7.根据权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述镀膜是通过无电解镀法而形成的。
8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述镀膜是通过无电解镀法而形成的。
9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述镀膜是通过无电解镀法而形成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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