[发明专利]一种磷化铟量子点的制备方法有效
| 申请号: | 201910128626.3 | 申请日: | 2019-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN111592884B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
| 发明(设计)人: | 夏思雨;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | C09K11/70 | 分类号: | C09K11/70;C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
| 地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 磷化 量子 制备 方法 | ||
1.一种磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,包括步骤:
将镉源前驱体溶液注入到磷源前驱体溶液中,在第一温度为50-150℃的条件下反应,生成CdP纳米簇;
将所述CdP纳米簇与铟源前驱体混合在TOP溶液中,在第二温度为250-350℃的加热条件下反应生成磷化铟量子点核;
其中,所述磷源前驱体的制备包括以下步骤:
在第三温度条件下,将磷单质分散在有机胺中,制得磷源前驱体溶液,所述有机胺选自乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺和1,4-丁二胺中的一种或多种,所述第三温度低于所述第一温度。
2.根据权利要求1所述磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,在反应生成磷化铟量子点核后,还包括步骤:
在所述磷化铟量子点核表面生长量子点壳层。
3.根据权利要求1所述磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述磷单质选自黄磷、红磷和黑磷中的一种或多种;和/或,
在第三温度为30-120℃条件下,将磷单质分散在有机胺中。
4.根据权利要求1所述磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述镉源前驱体溶液中的镉离子化合物选自乙酰丙酮镉、氯化镉、醋酸镉、硫酸镉和油酸镉中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述铟源前驱体选自乙酰丙酮铟、醋酸铟、油酸铟和硫酸铟中的一种或多种。
6.根据权利要求2所述磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述量子点壳层选自ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe和HgS中的一种或多种。
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