[发明专利]柔性X射线探测器在审
| 申请号: | 201910127109.4 | 申请日: | 2019-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN109887941A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
| 发明(设计)人: | 欧阳纯方 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0376;H01L31/0392;G01T1/20 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成像传感器 柔性结构 电路板 柔性电路板 子电路板 电连接 电路板固定 平板探测器 曲面探测器 待测物体 弯曲变形 抗摔 贴合 图像 灵活 应用 | ||
本发明提供一种柔性X射线探测器,柔性X射线探测器包括:柔性结构件;柔性成像传感器,柔性成像传感器固定于柔性结构件内,通过柔性成像传感器将X射线转换成电信号;电路板,电路板固定于柔性结构件内,通过柔性电路板与柔性成像传感器电连接;电路板包括若干子电路板,且相邻的子电路板之间通过柔性电路板电连接。本发明提供了一种可灵活弯曲变形的X射线探测器,使得X射线探测器即可作为平板探测器,又可作为曲面探测器,扩大了X射线探测器的应用范围,使X射线探测器可更好的贴合待测物体,从而获得高质量的图像,且可减少X射线探测器的体积、重量、具有抗摔、耐用的特性。
技术领域
本发明属于辐射检测技术领域,涉及一种柔性X射线探测器。
背景技术
X射线辐射成像利用X射线短波长、易穿透的性质,不同原子序数、密度和厚度材料对X射线吸收不同的特点,通过探测透过物体的X射线的强度来成像。体积小、重量轻、移动便携的数字X射线平板探测器广泛应用于医疗诊断、工业检测和安全检查,逐渐取代了以胶片为记录介质的传统X射线成像系统。
X射线平板探测器是目前使用较为广泛的一种X射线探测器,概括的说就是一种采用半导体技术将X射线能量转换为电信号,产生X射线图像的检测器。其从能量转换的方式可以分为两种:间接转换平板探测器(indirect FPD)和直接转换平板探测器(directFPD)。其中非晶硅平板探测器为间接式平板探测器,主要是将闪烁体层(碘化铯或硫氧化钆)、成像传感器(光电二极管PD及薄膜晶体管TFT)和信号处理电路板组装集成在平板形结构支撑件中。其中,现有的X射线成像传感器多基于非晶硅技术,一般是生长在玻璃基底上的,不可弯曲且遇到碰撞振动时容易碎裂。因而现有的X射线平板探测器为对X射线成像传感器进行保护,通常使得其体积较大、重量较重,且由于X射线平板探测器集成在平板形结构支撑件中,因此在对具有一定曲面的待测物体进行检测时,不能获得高质量的图像。因此X射线平板探测器不适用于工业检测,比如对石油管道裂缝的排查,以及需要快速灵活机动的场合,比如野战医院、反恐排爆等领域。
因此,提供一种体积小、重量轻、可弯曲的柔性X射线探测器,更好的贴合待测物体,获得高质量的图像,及适用于快速灵活机动的场合,实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种体积小、重量轻、可弯曲的柔性X射线探测器,以解决现有的X射线平板探测器的上述问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种柔性X射线探测器,所述柔性X射线探测器包括:
柔性结构件;
柔性成像传感器,所述柔性成像传感器固定于所述柔性结构件内,通过所述柔性成像传感器将X射线转换成电信号;
电路板,所述电路板固定于所述柔性结构件内,通过柔性电路板与所述柔性成像传感器电连接;所述电路板包括若干子电路板,且相邻的所述子电路板之间通过所述柔性电路板电连接。
可选的,所述柔性成像传感器包括直接型柔性成像传感器及间接型柔性成像传感器中的一种或组合。
可选的,所述柔性结构件内还包括柔性支架,所述柔性支架包括第一表面及与所述第一表面对应设置的第二表面,且所述柔性成像传感器与所述电路板分别固定于所述柔性支架的第一表面及第二表面上。
可选的,所述柔性结构件包括整体式柔性结构件,所述整体式柔性结构件的材质包括形状记忆合金。
可选的,所述柔性X射线探测器还包括加热装置,通过所述加热装置为所述整体式柔性结构件提供热源。
可选的,所述柔性结构件包括分体式柔性结构件,所述分体式柔性结构件包括由金属片、塑料片、碳纤维板中的一种或组合通过连接形成。
可选的,所述分体式柔性结构件的连接方式包括铰连接、销连接及卡扣连接中的一种或组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





