[发明专利]负极活性材料和使用其的负极极片以及电化学和电子装置

权利要求书

1.一种负极活性材料，其包括锂化硅氧材料及包覆层，其中所述包覆层与该锂化硅氧材料之间至少具有选自式和中的一种或多种的结构单元，其中a、b及c为大于等于6的整数，其中所述包覆层与该锂化硅氧材料之间至少具有-O-Si-R键，其中R为所述结构单元。

2.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中所述锂化硅氧材料中包含Li₂SiO₃、Li₆Si₂O₇、Li₂Si₂O₅和Li₄SiO₄中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中所述结构单元衍生自具有所述结构单元的硅烷。

4.根据权利要求3所述的负极活性材料，其中所述硅烷具有下式：

其中：

R、R1、R2和R3各自独立地选自氢、C_6～24烷基、C_6～24氟代烷基或C_1～3烷氧基。

5.根据权利要求4所述的负极活性材料，其中R、R1、R2和R3中至少一者为C_6～24烷基及其中至少一者为C_1～3烷氧基。

6.根据权利要求4所述的负极活性材料，其中R、R1、R2和R3中至少一者为C_6～24氟代烷基及其中至少一者为C_1～3烷氧基。

7.根据权利要求3所述的负极活性材料，其中所述硅烷选自以下的一种或多种：十三氟代正辛基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、三甲氧基(7-辛烯-1-基)硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷和辛基甲基二甲氧基硅烷。

8.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中所述负极活性材料的傅里叶红外谱具有2847±5cm^-1和2917±5cm^-1的特征吸收峰。

9.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中所述锂化硅氧材料包含纳米硅晶粒，所述纳米硅晶粒具有小于10nm的晶粒尺寸。

10.一种负极极片，其包括基材和根据权利要求1-9中任一项所述的负极活性材料。

11.一种电化学装置，其包括正极极片和根据权利要求10所述的负极极片。

12.一种电子装置，其包括根据权利要求11所述的电化学装置。