[发明专利]一种PTFE基复合介质板用浸渍浆料的物理混合方法及浸渍浆料和应用

说明书

本发明属于介质板技术领域，具体涉及一种PTFE基复合介质板用浸渍浆料的物理混合方法及浸渍浆料和应用。本发明提供了一种PTFE基复合介质板用浸渍浆料的物理混合方法，包括以下步骤：首先将PTFE和陶瓷填料进行初步搅拌，然后将得到的陶瓷填料/PTFE复合材料浆料进行双中心搅拌，得到含陶瓷填料的PTFE基复合介质板用浸渍浆料。本发明进行的双中心搅拌，可以在有效提高浆料中PTFE和陶瓷填料的分散性的同时，促进陶瓷填料与PTFE的复合，使浸渍浆料更加稳定，显著改善含陶瓷填料的PTFE基复合介质板用浸渍浆料的静置稳定性；而且本发明混合方法不含偶联剂，避免了偶联剂包覆层对复合介质板电学性能的不利影响。

技术领域

本发明属于介质板技术领域，具体涉及一种PTFE基复合介质板用浸渍浆料的物理混合方法及浸渍浆料和应用。

背景技术

高频介质板即电磁频率较高的特种线路板，一般来说，高频可定义为频率在1GHz以上，其各项物理性能、精度、技术参数都要求非常高；例如，高频介质板对线路宽度、粗糙度以及特性阻抗等控制要求极为严格。目前制备高频介质板常用的方法为玻纤布浸胶，在浸胶过程中，需要尽可能地提高介质板浸渍浆料稳定性以满足介质板性能稳定性要求；由介质板浸渍浆料混合均匀程度的提高，可以提高浸渍浆料的稳定性，进而保证由浸渍浆料制备出的介质板电学性能稳定。

目前，常用含陶瓷填料的PTFE(聚四氟乙烯)基复合介质板用浸渍浆料来制备PTFE基复合介质板，但随着陶瓷填充量的增加，浆料中陶瓷沉降愈加迅速，PTFE基复合介质板用浸渍浆料静置稳定性下降。用静置稳定性差的浸渍浆料制备得到的复合介质板，存在孔隙率高、介电损耗高等对实际电学应用极为不利的影响，因此有必要改善浸渍浆料的静置稳定性，以满足含陶瓷填料的PTFE基复合介质板用浸渍浆料的高电学性能要求。

传统方法主要通过向浸渍浆料中加入偶联剂来促进PTFE交联，增加 PTFE复合介质板用浸渍浆料粘性以提高浸渍浆料稳定性。但PTFE复合介质板用浸渍浆料中添加陶瓷填料后，偶联剂对陶瓷填料颗粒的包覆只能提高陶瓷颗粒在PTFE浆料中的分散性而无法改善陶瓷填料与PTFE的有机/无机复合；而且，偶联剂在对陶瓷填料颗粒进行包覆的同时，会增大浸渍浆料介电损耗，降低复合介质板用浸渍浆料的电学性能，进而降低PTFE复合介质板的电学性能。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种PTFE基复合介质板用浸渍浆料的物理混合方法，提高了含陶瓷填料的PTFE基复合介质板用浸渍浆料的静置稳定性，并且电学性能高；本发明还提供了一种PTFE基复合介质板用浸渍浆料及其应用。

为了实现上述发明目的，本发明提供了以下技术方案：

本发明提供了一种PTFE基复合介质板用浸渍浆料的物理混合方法，包括以下步骤：

(1)将PTFE和陶瓷填料进行初步搅拌，得到陶瓷填料/PTFE复合材料浆料；

(2)将所述步骤(1)得到的陶瓷填料/PTFE复合材料浆料进行双中心搅拌，得到PTFE基复合介质板用浸渍浆料。

优选的，所述步骤(1)中陶瓷填料的粒径为2～12μm。

优选的，所述步骤(1)中PTFE和陶瓷填料的质量比为7：(7～3)。

优选的，所述步骤(1)中初步搅拌的速率为800～2000r/min，初步搅拌的时间为20～30s。

优选的，所述步骤(2)双中心搅拌的具体过程为：陶瓷填料/PTFE复合材料浆料填装在储料罐内；所述储料罐围绕公转轴公转的同时储料罐内浆料以通过储料罐的几何中心的直线为轴进行自转；所述公转以不会穿过储料罐的直线为公转轴。

优选的，所述储料罐的中轴线倾斜于公转平面；所述储料罐的中轴线与公转平面的夹角为45°。