[发明专利]一种改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构及制备方法在审
| 申请号: | 201910118264.X | 申请日: | 2019-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN109904329A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
| 发明(设计)人: | 徐保民;王行柱;王登;曾峰;胡路遥;胡航;陈家邦;张罗正;周贤勇;田颜清 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
| 主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 杨采良 |
| 地址: | 518055 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钙钛矿 制备 太阳能电池 改性 刮涂 太阳能电池器件 富勒烯衍生物 二甲基甲酰 二甲基亚砜 空穴传输层 嵌段共聚物 材料科学 导电玻璃 刮刀涂布 界面材料 界面优化 能源器件 溶液溶剂 便捷性 前驱液 银电极 溶剂 旋涂 优化 调控 | ||
1.一种改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构制备方法,其特征在于,所述改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构制备方法包括以下步骤:
步骤一,使用NiOx代替PDEOT:PSS进行太阳能电池器件的界面优化,并旋涂至导电玻璃FTO上;
步骤二,在钙钛矿的前驱液中加入二甲基亚砜DMSO和二甲基甲酰胺DMF并调控DMSO和DMF占比,进行钙钛矿溶液溶剂优化,其中DMSO的体积占比分别为0、15%、30%和45%;
步骤三,将步骤二所述钙钛矿溶液,在环境温度下用刮涂的方法涂布步骤一所述太阳能电池器件上;
步骤四,在步骤三中依次涂布富勒烯衍生物PC61BM氯苯溶液在钙钛矿薄膜上,嵌段共聚物BCP溶液以4000rpm旋转涂布在PC61BM薄膜上,镀上银电极,制备出钙钛矿太阳能电池PSC。
2.如权利要求1所述的改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构制备方法,其特征在于,步骤一中,PEDOT:PSS体积比为1:1。
3.如权利要求1所述的改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构制备方法,其特征在于,步骤二具体包括:
用聚四氟乙烯PTFE过滤器过滤,再涂至FTO层基底上,150℃退火20min,制备不同比例DMSO:DMF,其中DMSO的体积占比分别为0、15%、30%和45%,将钙钛矿溶解。
4.如权利要求1所述的改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构制备方法,其特征在于,步骤三具体包括:进行钙钛矿层刮涂后,90℃退火15min,涂布富勒烯衍生物PC61BM氯苯溶液在钙钛矿薄膜上,嵌段共聚物BCP溶液以4000rpm旋转涂布在PC61BM薄膜上。
5.如权利要求1所述的改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构制备方法,其特征在于,步骤三中,环境室温25℃,湿度45%。
6.如权利要求1所述的改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构制备方法,其特征在于,步骤四中,富勒烯衍生物PC61BM氯苯溶液为浓度20mg/ml,用0.45μmPTFE过滤器过滤,总量40μL;
共聚物BCP溶液浓度为0.5mg/ml,用量80μl,溶于异丙醇中。
7.如权利要求1所述的改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构制备方法,其特征在于,步骤四具体包括:
用蒸镀法沉积银电极;
制备NiOx,用NiOx层薄膜代替原本PCS中的PEDOT:PSS层,重复步骤一至步骤三。
8.一种利用权利要求1所述改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构制备方法制备的改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构,其特征在于,所述改性高效钙钛矿太阳能电池的刮涂结构从上到下依次复合有:
FTO层、NiOX层、钙钛矿层、PCBM层、BCP层、银电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南方科技大学,未经南方科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910118264.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





