[发明专利]一种晶圆的干燥方法有效
| 申请号： | 201910117526.0 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN111578680B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 惠世鹏;张凇铭;刘效岩;许璐 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;F26B21/00;F26B21/14 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 干燥 方法 | ||
1.一种晶圆的干燥方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将至少一个清洗后待干燥的晶圆置于一容器中；
S2：把用于对所述晶圆的表面进行干燥的蒸汽引入所述容器中，并在干燥过程中，通过控制蒸汽的压力和/或温度，逐渐减小所述蒸汽的饱和度。
2.根据权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在所述步骤S2中，将所述蒸汽的饱和度从过饱和状态逐渐减小至欠饱和状态。
3.根据权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述蒸汽包括水蒸汽、IPA与水的混合蒸汽以及IPA蒸汽中的一种。
4.根据权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在所述步骤S2中，依次把不同种类的所述蒸汽引入所述容器中，所述蒸汽包括水蒸汽、IPA与水的混合蒸汽以及IPA蒸汽中的至少两种。
5.根据权利要求4所述的干燥方法，其特征在于，在所述步骤S2中，先通入水蒸汽。
6.根据权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在所述步骤S2中，通过控制所述蒸汽的压力和/或温度逐渐减小所述蒸汽的饱和度。
7.根据权利要求6所述的干燥方法，其特征在于，所述蒸汽的压力范围是0.1MPa～0.5MPa。
8.根据权利要求6所述的干燥方法，其特征在于，所述蒸汽的温度范围是80℃～170℃。
9.根据权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，还包括以下步骤：
S3：把一吹扫气体引入所述容器中。
10.根据权利要求9所述的干燥方法，其特征在于，所述吹扫气体为干燥的空气或氮气。
11.根据权利要求9所述的干燥方法，其特征在于，所述吹扫气体的流量范围为1L/min～4L/min，所述吹扫气体的温度范围为20℃～50℃。
12.根据权利要求9所述的干燥方法，其特征在于，在所述步骤S3中，旋转所述晶圆，所述晶圆的转速范围为1000r/min～2000r/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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