[发明专利]一种OLED显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 201910116909.6 | 申请日: | 2019-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN109817832A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
| 发明(设计)人: | 李慧慧;栾梦雨 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
| 地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微腔结构 显示装置 基板 光谱带 色纯度 子像素 制备 半透半反射膜 增强显示装置 颜色子像素 衬底方向 第一电极 发光材料 发光效率 谐振波长 预定波长 低能耗 调整层 发光层 变窄 光源 垂直 | ||
1.一种OLED显示基板,其特征在于,包括衬底,以及设于衬底上的多个不同颜色的子像素;每个所述子像素均包括发光单元和调整单元;每个发光单元包括反光的第一电极、透明的第二电极,以及设于第一电极和第二电极之间的发光层;所述OLED显示基板具有出光侧,所述第一电极相较于第二电极更远离出光侧设置,所述子像素还包括设于第二电极出光侧的半透半反射膜,所述半透半反射膜与发光层和第一电极构成微腔结构;其中,所述调整单元包括调整层,用于限定在垂直于衬底方向上微腔结构的尺寸,以使微腔结构的谐振波长与该子像素发出光的预定波长范围相同。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述OLED显示基板为底发射型OLED显示基板,所述第二电极相较于所述第一电极更靠近衬底设置;所述调整单元还包括覆盖所述半透半反射膜的平坦化层,所述发光单元设于所述平坦化层背离出光侧的一侧,所述调整层设于所述半透半反射膜与衬底之间。
3.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,不同颜色子像素的调整层的厚度不同,以使不同颜色子像素的半透半反射膜与发光层之间的距离不同。
4.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述调整层由透明有机材料构成,所述平坦化层由透明有机材料构成。
5.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述发光层由有机发光材料构成,所述第一电极由反射金属材料构成,所述半透半反射膜由金属材料构成。
6.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述不同颜色的子像素的发光层的厚度不同。
7.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述微腔结构的有效腔长
其中,λ为微腔的谐振波长,ni、li分别为微腔结构中第i层有机材料的折射率和厚度,为光在半透半反射膜与第i层有机材料之间的相移;
所述其中,所述ns为与金属材料接触的材料的折射率,所述nm、km分别为金属层复折射率的实部和虚部。
8.一种OLED显示装置,包括权利要求1-7中任一项所述的OLED显示基板。
9.一种OLED显示基板的制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:
在衬底上形成多个不同颜色的子像素;所述形成多个不同颜色的子像素包括形成发光单元的步骤以及形成调整单元的步骤;其中,
所述形成调整单元包括形成调整层的步骤;
所述形成发光单元包括形成第一电极、第二电极,以及在第一电极和第二电极之间形成发光层的步骤;
所述OLED显示基板具有出光侧,所述第一电极相较于第二电极更远离出光侧形成,所述形成子像素还包括在第二电极出光侧形成半透半反射膜的步骤,所述半透半反射膜与发光层和第一电极构成微腔结构,并且在垂直于衬底方向上,不同子像素的微腔结构的尺寸不同,以使微腔结构的谐振波长与该子像素发出光的预定波长范围相同。
10.根据权利要求9所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板为权利要求3所述的显示基板,所述不同颜色的子像素的调整层通过阶梯曝光一步形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





