[发明专利]整合式多功能芯片有效
| 申请号： | 201910114285.4 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111564427B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 洪根刚 | 申请（专利权）人： | 晶乔科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;田喜庆 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整合 多功能 芯片 | ||
1.一种整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片包括：
一电子熔丝，该电子熔丝为一次性可编程非易失性的内存；以及
一接口熔丝，其与该电子熔丝并联设置；
其中，该电子熔丝与该接口熔丝被整合在单一芯片中；
其中，在该接口熔丝的工作模式下，当输入该接口熔丝的电流为0且电压在14V～20V之间时，该接口熔丝形成低电阻；当输入该接口熔丝的电流在0A～0.1A之间且电压在20V～25V时，该接口熔丝形成高电阻；
其中，当电流在0.4A～0.68A之间，且电压在16～25V之间产生快速中断后，该整合式多功能芯片工作在大电流区间。
2.根据权利要求1所述的整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片是根据该电子熔丝是否断开或该接口熔丝的电阻高低而改变其逻辑态。
3.根据权利要求2所述的整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片在该电子熔丝未断开前或该接口熔丝在高电阻时，其所述逻辑态为1。
4.根据权利要求2所述的整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片在该电子熔丝未断开前或该接口熔丝在高电阻时，其所述逻辑态为0。
5.根据权利要求2所述的整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片在该电子熔丝断开后或该接口熔丝在低电阻时，其所述逻辑态为1。
6.根据权利要求2所述的整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片在该电子熔丝断开后或该接口熔丝在低电阻时，其所述逻辑态为0。
7.根据权利要求2所述的整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片系安装于一控制电路中，该控制电路根据该整合式多功能芯片的所述逻辑态选择性地操作在一第一模式或者一第二模式。
8.根据权利要求1所述的整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片进一步包括：一可变电阻，其分别与该电子熔丝以及该接口熔丝串联设置，该电子熔丝、该接口熔丝与该可变电阻被整合在该单一芯片中。
9.一种整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片包括：
一电子熔丝，该电子熔丝为一次性可编程非易失性的内存；以及
一接口熔丝，其与该电子熔丝并联设置；
其中，该整合式多功能芯片操作在该电子熔丝的工作模式下之电压与电流的关系为正相关或负相关，
其中，在该接口熔丝的工作模式下，当输入该接口熔丝的电流为0且电压在14V～20V之间时，该接口熔丝形成低电阻；当输入该接口熔丝的电流在0A～0.1A之间且电压在20V～25V时，该接口熔丝形成高电阻；
其中，当电流在0.4A～0.68A之间，且电压在16～25V之间产生快速中断后，该整合式多功能芯片工作在大电流区间。
10.根据权利要求9所述的整合式多功能芯片，其特征在于，该整合式多功能芯片进一步包括：一可变电阻，其分别与该电子熔丝以及该接口熔丝串联设置，该电子熔丝、该接口熔丝与该可变电阻被整合在单一芯片中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶乔科技股份有限公司，未经晶乔科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910114285.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
