[发明专利]一种PAM-N CDR电路及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201910113010.9 申请日: 2019-02-13
公开(公告)号: CN109831257B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 王昕;向涛;劳之豪;孙德文;刘德昂;袁亚兴;商松泉 申请(专利权)人: 深圳市傲科光电子有限公司
主分类号: H04B10/69 分类号: H04B10/69;H04L25/06
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李艳丽
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 pam cdr 电路 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种PAM-N CDR电路,其特征在于,包括:

电平判决器,接入输入电压信号,所述电平判决器配置为将所述输入电压信号在所述电平判决器的负载上转化为对应的电流信号以及将所述输入电压信号经过比较和转换后分为多路电压数据信号,所述多路电压数据信号组成多路二进制数据;

判决反馈均衡器,与所述电平判决器连接,配置为跟踪所述多路电压信号并输出多路用作降低ISI的电流反馈信号,并将各个所述电流反馈信号加载在所述电平判决器的负载上与所述电流信号对应相加,从而减少输入电压信号的码间干扰;以及

偏置电流缩放模块,所述偏置电流缩放模块接于所述电平判决器和所述判决反馈均衡器之间,所述偏置电流缩放模块被用于固定所述判决反馈均衡器的偏置电流与所述电平判决器偏置电流之比,使所述判决反馈均衡器与所述电平判决器的总电流保持一个常数。

2.如权利要求1所述的PAM-N CDR电路,其特征在于,所述电平判决器的负载包括电阻。

3.如权利要求1所述的PAM-N CDR电路,其特征在于,所述判决反馈均衡器包括多个DFE平行支路,所述多个DFE平行支路与所述多路电压数据信号一一对应。

4.如权利要求3所述的PAM-N CDR电路,其特征在于,各个所述DFE平行支路包括:

延时单元,与电平判决器连接,所述延时单元接入所述电压数据信号并输出与所述电压数据信号对应的电压延迟数据信号;以及

负反馈单元,所述负反馈单元的输入端与所述延时单元连接,所述负反馈单元的反馈端与所述电平判决器的负载连接,所述负反馈单元被配置为根据所述电压延迟数据信号产生对应的电流反馈信号并将所述电流反馈信号输送到所述电平判决器的负载上。

5.如权利要求1所述的PAM-N CDR电路,其特征在于,所述偏置电流缩放模块包括:

第一镜像电流源,所述第一镜像电流源的输入端与电源连接,所述第一镜像电流源的输出端与所述电平判决器连接,所述第一镜像电流源用以为所述电平判决器提供第一偏置电流;

第二镜像电流源,所述第二镜像电流源的输入端与电源连接,所述第二镜像电流源的输出端与所述判决反馈均衡器连接,所述第二镜像电流源用以为所述判决反馈均衡器提供第二偏置电流;

第一MOS管,所述第一MOS管的漏极与所述第一镜像电流源的控制端连接,所述第一MOS管的栅极接入参考电压;

第二MOS管,所述第二MOS管的漏极与所述第二镜像电流源的控制端连接,所述第二MOS管的栅极接入控制电压,所述控制电压控制所述判决反馈均衡器的反馈强度;以及

第三MOS管,所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极连接,所述第三MOS管的栅极接入所述偏置电流缩放模块的偏置电压,所述第三MOS管的源极接地。

6.如权利要求5所述的PAM-N CDR电路,其特征在于,所述偏置电流缩放模块还包括:

第一转换单元,所述第一转换单元接于所述电平判决器和地之间,所述第一转换单元被配置为将所述第一偏置电流转化为第一偏置电压并输送到所述电平判决器的偏置电压输入端中;以及

第二转换单元,所述第二转换单元接于所述判决反馈均衡器和地之间,所述第二转换单元被配置为将所述第二偏置电流转化为第二偏置电压并输送到所述判决反馈均衡器的偏置电压输入端中。

7.一种PAM-N CDR电路的控制方法,其特征在于,所述PAM-N CDR电路包括电平判决器和判决反馈均衡器,所述控制方法包括:

将输入的电压信号经过比较和转换后分为多路电压数据信号并将输入的电压信号转化为对应的电流信号;

跟踪所述多路电压数据信号并输出多个用作降低ISI的电流反馈信号;

将各个所述电流反馈信号加载在所述电平判决器的负载上分别与所述电流信号对应相加,从而减少输入电压信号的码间干扰;

使所述判决反馈均衡器的偏置电流与所述电平判决器的偏置电流之比为固定值。

8.如权利要求7所述的控制方法,其特征在于,还包括:当所述N为4时,所述多个为3个。

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