[发明专利]半导体组件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体组件，其特征在于，包括：

基底，具有第一导电型；

多个光电二极管，由所述基底的顶面向所述基底的内部延伸；

多个彩色滤光图案，设置于所述基底上，且分别纵向地交叠于所述多个光电二极管；

第一掺杂区，设置于所述基底中且具有第二导电型；以及

多个第二掺杂区，设置于所述基底中且具有所述第二导电型，其中所述多个第二掺杂区接触于所述第一掺杂区并位于所述多个光电二极管与所述第一掺杂区之间，两两相邻的第二掺杂区之间具有上间隔区，多个所述上间隔区纵向地交叠于所述多个彩色滤光图案中具有穿透波长在620nm至1000nm范围中的若干者，

其中所述第一掺杂区的数量为多数，两两相邻第一掺杂区之间具有下间隔区，多个所述下间隔区分别纵向地连通于所述多个上间隔区中的若干者。

2.如权利要求1所述的半导体组件，其中所述基底包括半导体基板以及外延层，所述外延层设置于所述半导体基板上，所述第一掺杂区由所述半导体基板内延伸至所述外延层的底部中，且所述多个第二掺杂区位于所述外延层内。

3.如权利要求1所述的半导体组件，其中所述第一掺杂区连续地延伸，且垂直地交叠于所述多个第二掺杂区与所述多个光电二极管。

4.如权利要求3所述的半导体组件，其中所述第一掺杂区的顶面定义出所述多个上间隔区的底面。

5.如权利要求1所述的半导体组件，其中所述多个下间隔区垂直地交叠于所述多个彩色滤光图案中穿透波长在760nm至1000nm的范围内的若干者。

6.如权利要求1所述的半导体组件，其中所述多个第二掺杂区延伸至所述第一掺杂区中。

7.如权利要求1所述的半导体组件，还包括第三掺杂区，设置于基底中且具有所述第二导电型，其中所述第三掺杂区电连接于所述多个第二掺杂区与所述第一掺杂区。

8.如权利要求1所述的半导体组件，还包括多个隔离结构，由所述基底的所述顶面往所述基底的所述内部延伸，且分别位于两相邻光电二极管之间。

9.如权利要求8所述的半导体组件，其中所述多个隔离结构的深度小于所述多个光电二极管的深度。

10.如权利要求8所述的半导体组件，其中所述多个隔离结构的深度大于所述多个光电二极管的深度。

11.如权利要求8所述的半导体组件，还包括多个场掺杂区，设置于所述基底中且具有第一导电型，其中所述多个隔离结构位于所述多个场掺杂区中。

12.一种半导体组件的制造方法，包括：

在半导体基板内形成第一初始掺杂区，其中所述半导体基板具有第一导电型，且所述第一初始掺杂区具有第二导电型；

在所述半导体基板上形成外延层，且使所述第一初始掺杂区向上扩散以延伸至所述外延层中，而形成第一掺杂区，其中所述外延层具有所述第一导电型；

在所述外延层中形成具有所述第二导电型的多个第二掺杂区，其中所述多个第二掺杂区接触于所述第一掺杂区，且位于所述外延层的顶面与所述第一掺杂区之间；

在所述外延层中形成多个光电二极管，其中所述多个第二掺杂区位于所述多个光电二极管与所述第一掺杂区之间；

在所述外延层上形成多个彩色滤光图案，其中所述多个彩色滤光图案分别交叠于所述多个光电二极管，

其中两两相邻的第二掺杂区之间具有上间隔区，多个所述上间隔区垂直地交叠于多个彩色滤光图案中具有穿透波长在620nm至1000nm范围中的若干者。