[发明专利]一种具有高稳定性的OLED器件及其制备方法有效
| 申请号: | 201910110447.7 | 申请日: | 2019-02-11 | 
| 公开(公告)号: | CN109887959B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 | 
| 发明(设计)人: | 陈旭;张国辉;董艳波;于永超;吴海燕 | 申请(专利权)人: | 固安翌光科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 | 
| 代理公司: | 北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591 | 代理人: | 彭秀丽 | 
| 地址: | 065500 河北*** | 国省代码: | 河北;13 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 稳定性 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高稳定性的PMOLED器件,包括基板和设置在所述基板上方第一电极材料层及隔离柱(4),所述第一电极材料层经图形化形成若干第一电极单元(1),相邻所述第一电极单元(1)之间为第一图形化区域(6),所述隔离柱(4)相互平行且相互隔开,并垂直于所述第一电极单元(1)的方向设置,在形成有图形化的所述第一电极单元(1)和所述隔离柱(4)的基板上沉积发光材料层(2)和第二电极层(3),其特征在于,
至少一部分所述隔离柱(4)与第一电极单元(1)和/或所述基板(10)直接接触设置,所述隔离柱(4)下方的第一电极单元(1)的一部分被图形化为第二图形化区域(8),所述隔离柱(4)与第二图形化区域(8)的基板直接接触设置,与位于其下方且未被图形化的第一电极材料直接或间接接触,所述的第一图形化区域不设置绝缘材料层(5)。
2.根据权利要求1所述的具有高稳定性的PMOLED器件,其特征在于,所述隔离柱(4)设置在所述第一电极单元(1)上且与所述第一电极单元(1)之间直接接触设置。
3.根据权利要求2所述的具有高稳定性的PMOLED器件,其特征在于,所述隔离柱(4)与位于其下方且未被图形化的第一电极材料之间设置有绝缘材料层(5)。
4.根据权利要求3所述的具有高稳定性的PMOLED器件,其特征在于,隔离柱(4)下方且未被图形化的第一电极材料上方设置有辅助金属层(7),所述的隔离柱与辅助金属层(7)之间直接接触设置,或所述的隔离柱与辅助金属层(7)之间设置有绝缘材料层(5)。
5.根据权利要求4所述的具有高稳定性的PMOLED器件,其特征在于,所述绝缘材料层(5)和隔离柱所用材料相同或不同,材料分别为有机聚合物材料、硅类有机无机复合材料或无机材料中的一种或组合。
6.根据权利要求5所述的具有高稳定性的PMOLED器件,其特征在于,所述的绝缘材料层为氮化硅材料层或氮氧化硅材料层。
7.根据权利要求1所述的具有高稳定性的PMOLED器件,其特征在于,所述发光材料层(2)的厚度为100nm-1000nm。
8.一种具有高稳定性的PMOLED器件制备方法,其特征在于,包括下述步骤:
S1、在基板上制备有第一电极材料层,所述第一电极材料层经图形化形成若干第一电极单元(1);沿第一电极材料层第一方向经图形化后形成第一图形化区域(6),再沿第一电极材料层第二方向将部分电极材料图形化后形成第二图形化区域(8);
S2、在第一电极材料层上制作平行间隔排列并垂直于所述第一电极单元(1)方向设置的隔离柱(4);沿第二图形化区域(8)制作隔离柱(4),隔离柱(4)与部分基板直接接触;
S3、在步骤S2基础上通过蒸镀方式制作发光材料层(2)和第二电极层(3)。
9.根据权利要求8所述的具有高稳定性的PMOLED器件制备方法,其特征在于,
所述步骤S2中第二方向未被图形化的电极材料上方设置辅助金属层(7)。
10.根据权利要求9所述的具有高稳定性的PMOLED器件制备方法,其特征在于,
所述的步骤S1和步骤S2之间还包括S11:在步骤S1的基础上在第一图形化区域和/或辅助金属层(7)上制备有绝缘材料层(5);
辅助金属层(7)长度L1小于第一电极单元(1)的长度L,宽度 S≥隔离柱宽度。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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