[发明专利]固态成像装置以及电子设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

多个像素，所述多个像素包括：

第一像素，所述第一像素包括第一光电转换区域、第一电荷积聚区域，以及第一浮动扩散区域；

第二像素，所述第二像素包括第二光电转换区域、第二电荷积聚区域，以及第二浮动扩散区域；和

遮光膜，所述遮光膜覆盖所述第一像素的所述第一电荷积聚区域，覆盖所述第二像素的所述第二电荷积聚区域，且覆盖所述第二像素的所述第二光电转换区域的一部分。

2.如权利要求1所述的固态成像装置，

其中，所述第一像素还包括第一转移晶体管，所述第一转移晶体管将所述第一电荷积聚区域中的电荷转移至所述第一浮动扩散区域，并且

其中，所述第一光电转换区域和所述第一电荷积聚区域排列于第一方向上，且所述第一电荷积聚区域和所述第一浮动扩散区域排列于与所述第一方向不同的第二方向上。

3.如权利要求2所述的固态成像装置，

其中，所述第一像素包括放大晶体管和复位晶体管，所述放大晶体管和所述复位晶体管连接至所述第一浮动扩散区域，并且

其中，所述放大晶体管和所述复位晶体管排列于所述第一方向上。

4.如权利要求3所述的固态成像装置，

其中，所述第一像素包括放电晶体管，所述放电晶体管将所述第一光电转换区域中的电荷释放。

5.如权利要求4所述的固态成像装置，

其中，所述多个像素包括第三像素，所述第三像素与所述第一像素在所述第一方向上相邻，

其中，所述第一电荷积聚区域和所述第三像素的第三电荷积聚区域在所述第一方向上位于所述第一光电转换区域与所述第三像素的第三光电转换区域之间，并且

其中，所述遮光膜覆盖所述第三电荷积聚区域。

6.如权利要求4所述的固态成像装置，

其中，所述多个像素包括第四像素，所述第四像素与所述第一像素在所述第二方向上相邻，

其中，所述第一浮动扩散区域在所述第二方向上位于所述第一电荷积聚区域和所述第四像素的第四电荷积聚区域之间，并且

其中，所述遮光膜覆盖所述第四电荷积聚区域。

7.如权利要求6所述的固态成像装置，

其中，所述第一浮动扩散区域由所述第一像素和所述第四像素共用。

8.如权利要求6所述的固态成像装置，

其中，所述放大晶体管和所述复位晶体管由所述第一像素和所述第四像素共用。

9.如权利要求7所述的固态成像装置，

其中，所述放大晶体管和所述复位晶体管由所述第一像素和所述第四像素共用。

10.如权利要求6所述的固态成像装置，

其中，所述放大晶体管在所述第一方向上位于所述第一转移晶体管与所述放电晶体管之间。

11.如权利要求7所述的固态成像装置，

其中，所述放大晶体管在所述第一方向上位于所述第一转移晶体管与所述放电晶体管之间。

12.如权利要求8所述的固态成像装置，

其中，所述放大晶体管在所述第一方向上位于所述第一转移晶体管与所述放电晶体管之间。