[发明专利]一种砷化物多结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种砷化物多结太阳能电池，其特征在于，至少包括：

三结子电池，以及位于相邻两结子电池之间的隧穿结；

其中，至少一结子电池包括基区与发射区，且所述基区为砷化物基区；

所述砷化物基区的掺杂浓度沿第一方向逐渐降低，所述第一方向为所述砷化物基区指向所述发射区的方向；

所述砷化物基区与所述发射区相邻的掺杂区，包括多个交替层叠设置的掺杂层和非掺杂层。

2.根据权利要求1所述的砷化物多结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂区的厚度范围为：100nm-1000nm，包括端点值；

所述掺杂区的掺杂浓度范围为：1×10¹⁶/cm³-1×10¹⁷/cm³，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的砷化物多结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层的厚度范围为1nm-50nm，包括端点值；所述非掺杂层的厚度范围为1nm-50nm，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的砷化物多结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层的掺杂源为Zn、Mg或C。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的砷化物多结太阳能电池，其特征在于，所述砷化物多结太阳能电池为正向三结太阳能电池，包括：Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为AlGaInP顶电池或GaInP顶电池；

所述砷化物基区为InGaAs中电池的基区。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的砷化物多结太阳能电池，其特征在于，所述砷化物多结太阳能电池为倒置三结太阳能电池，包括：

外延腐蚀截止层、位于所述外延腐蚀截止层上的欧姆接触层；

以及位于所述欧姆接触层上，且沿背离所述外延腐蚀截止层方向依次设置的GaInP底电池、GaAs中电池和带隙为1.0eV的InGaAs顶电池；

所述砷化物基区包括：GaAs中电池的基区和/或带隙为1.0eV的InGaAs顶电池的基区。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的砷化物多结太阳能电池，其特征在于，所述砷化物多结太阳能电池为正向四结太阳能电池，包括：依次设置的第一子电池、第二子电池、第三子电池和第四子电池；

其中，所述第一子电池为Ge子电池；

所述第二子电池为InGaAs子电池；

所述第三子电池为AlInGaAs子电池；

所述第四子电池为AlGaInP子电池或GaInP子电池；

所述砷化物基区包括第二子电池的基区和/或第三子电池的基区。

8.根据权利要求1-4任意一项所述的砷化物多结太阳能电池，其特征在于，所述砷化物多结太阳能电池为倒置四结太阳能电池，包括：

外延腐蚀截止层、位于所述外延腐蚀截止层上的欧姆接触层；

以及位于所述欧姆接触层上，且沿背离所述外延腐蚀截止层方向依次设置的第一子电池、第二子电池、第三子电池和第四子电池；

其中，所述第一子电池为GaInP子电池；

所述第二子电池为GaAs子电池；

所述第三子电池为带隙为1.0eV的InGaAs子电池；

所述第四子电池为带隙为0.7eV的InGaAs子电池；

所述砷化物基区包括：第二子电池的基区、第三子电池的基区和第四子电池的基区中的至少一个。

9.一种砷化物多结太阳能电池制作方法，其特征在于，用于制作形成权利要求1-8任意一项所述的砷化物多结太阳能电池，所述砷化物多结太阳能电池制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成至少三结子电池，相邻两结子电池之间形成有隧穿结；

其中，至少一结子电池包括基区和发射区，且所述基区为砷化物基区；

所述砷化物基区的掺杂浓度沿第一方向逐渐降低，所述第一方向为所述砷化物基区指向所述发射区的方向；

所述砷化物基区与所述发射区相邻的掺杂区，包括多个交替层叠设置的掺杂层和非掺杂层。

10.根据权利要求9所述的砷化物多结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述砷化物基区的制作方法包括：

通入掺杂源，形成所述掺杂层；

断开所述掺杂源，形成所述非掺杂层；

交替多次，形成多个交替层叠的掺杂层和非掺杂层。