[发明专利]一种纳米孔精确制造方法有效
| 申请号： | 201910108417.2 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109824012B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 袁志山;雷鑫;王成勇 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00;C12Q1/6869 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米孔 玻璃毛细管 电解质溶液 薄膜 制造 收缩 多层复合薄膜 停止施加电压 氮化硅薄膜 氧化硅薄膜 单层薄膜 施加电压 早期检测 纳米级 微米级 制备 癌症 芯片 应用 | ||
1.一种纳米孔制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.将玻璃毛细管一端收缩至一定孔径；
S2.将玻璃毛细管收缩后的一端置于芯片的薄膜的一侧，并靠近所述薄膜；所述薄膜的另一侧与电解质溶液接触；在玻璃毛细管内加入电解质溶液；
S3.通过玻璃毛细管内的电解质溶液和薄膜另一侧的电解质溶液对薄膜两侧施加电压，当纳米孔达到预期孔径，停止施加电压。
2.根据权利要求1所述的纳米孔制造方法，其特征在于，步骤S1.中收缩为电子束收缩或离子束收缩；所述电子束的扫描区域为1μm×1μm～20μm×20μm。
3.根据权利要求2所述的纳米孔制造方法，其特征在于，所述电子束的扫描区域为1μm×1μm。
4.根据权利要求1所述的纳米孔制造方法，其特征在于，所述薄膜为单层薄膜或多层复合薄膜；所述薄膜为微米级或纳米级。
5.根据权利要求4所述的纳米孔制造方法，其特征在于，所述单层薄膜为氮化硅薄膜或氧化硅薄膜；
所述多层复合薄膜为氮化硅/硅/氮化硅三层薄膜。
6.根据权利要求1所述的纳米孔制造方法，其特征在于，所述玻璃毛细管内的电解质溶液和薄膜另一侧的电解质溶液为氯化钠、氯化钾、氯化锂、氯化钙或氯化镧的盐溶液；所述盐溶液pH值为6.0～8.0。
7.根据权利要求1或4所述的纳米孔制造方法，其特征在于，所述薄膜的厚度为5nm～100nm。
8.根据权利要求1所述的纳米孔制造方法，其特征在于，步骤S3.中施加的电压为0.1V～30V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910108417.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
