[发明专利]薄膜抗蚀层以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910107370.8 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN110120337A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 中村浩之;曾根田真也;久我正一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜抗蚀层 衬底 主面 半导体装置 粘贴 制造 | ||
1.一种薄膜抗蚀层，其是用于粘贴于衬底的主面的具有感光性的薄膜抗蚀层，在该主面设置有标记，
其中，
在所述薄膜抗蚀层设置有用于对所述标记进行确认的切口。
2.根据权利要求1所述的薄膜抗蚀层，其中，
在所述薄膜抗蚀层粘贴于所述主面的状态下，所述切口使所述标记从该薄膜抗蚀层露出。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜抗蚀层，其中，
所述薄膜抗蚀层的尺寸比所述衬底的所述主面的尺寸小。
4.一种半导体装置的制造方法，其使用用于粘贴于衬底的主面的具有感光性的薄膜抗蚀层，在该主面设置有标记，
其中，
所述制造方法包含：
(a)将所述薄膜抗蚀层粘贴于所述主面的工序；以及
(b)在所述薄膜抗蚀层形成用于对所述标记进行确认的切口的工序。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述薄膜抗蚀层粘贴于所述主面的状态下，所述切口使所述标记从该薄膜抗蚀层露出。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述工序(b)在所述工序(a)之前进行。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，以在所述薄膜抗蚀层形成所述切口的方式将该薄膜抗蚀层切断。
8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，以在所述薄膜抗蚀层形成所述切口的方式将激光照射至该薄膜抗蚀层。
9.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述工序(b)在所述工序(a)之后进行。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，以在所述薄膜抗蚀层形成所述切口的方式将该薄膜抗蚀层切断。
11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，以在所述薄膜抗蚀层形成所述切口的方式将激光照射至该薄膜抗蚀层。
12.根据权利要求4至11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述薄膜抗蚀层的尺寸比所述衬底的所述主面的尺寸小。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
