[发明专利]一种焊接陶瓷劈刀有效
| 申请号： | 201910103749.1 | 申请日： | 2019-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN109860067B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 郑镇宏;邱基华;童文欣 | 申请（专利权）人： | 潮州三环（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B23K20/10 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 宋静娜;郝传鑫 |
| 地址： | 515646 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 焊接 陶瓷 劈刀 | ||
1.一种焊接陶瓷劈刀，其特征在于，所述劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔，所述孔沿本体的纵轴和焊嘴延伸，所述焊嘴的尖端表面由交替分布的凸出部分和凹陷部分组成，且所述凸出部分以焊嘴为几何中心呈正六边形阵列排布，所述凸出部分的最高点和凹陷部分的最低点形成高度差，所述高度差为5-20μm。
2.根据权利要求1所述的焊接陶瓷劈刀，其特征在于，所述正六边形的边长为2-8μm。
3.根据权利要求2所述的焊接陶瓷劈刀，其特征在于，所述正六边形的边长为6-8μm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的焊接陶瓷劈刀，其特征在于，所述焊嘴的尖端表面具有表面粗糙度为0.5-3.0μm的宏观结构。
5.根据权利要求4所述的焊接陶瓷劈刀，其特征在于，所述焊嘴的尖端表面还具有表面粗糙度为0.01-0.1μm的微观结构。
6.根据权利要求1所述的焊接陶瓷劈刀，其特征在于，所述高度差为8-15μm。
7.根据权利要求1所述的焊接陶瓷劈刀，其特征在于，所述凸出部分的高度为2-15μm。
8.根据权利要求1所述的焊接陶瓷劈刀，其特征在于，所述凸出部分和凹陷部分均匀交替分布。
9.根据权利要求1～8任一项所述的焊接陶瓷劈刀的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用激光加工的方式在所述焊嘴的尖端表面形成交替分布的凸出部分和凹陷部分；
(2)采用热处理的方式在所述焊嘴的尖端表面形成微观结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
