[发明专利]一种耐辐射光纤的制备方法

权利要求书

1.一种耐辐射光纤的制备方法，其包括如下步骤：

对光纤预制棒依次进行退火、载氢以及预辐照预处理；

对经预处理后的光纤预制棒进行拉丝，制得耐辐射单模光纤或耐辐射多模光纤；

所述退火的方法包括：将光纤预制棒升温至设定温度T₁并保持一段时间t₁，随后按照固定退火速率K₁降温，到达目标温度T₂后自然冷却，制得经退火后的光纤预制棒；

所述设定温度T₁为850℃-1100℃，保持时间t₁为1h-6h，所述退火速率K₁为0.5℃/min-2.0℃/min，所述目标温度T₂为720℃-980℃。

2.根据权利要求1所述的耐辐射光纤的制备方法，其特征在于，所述设定温度T₁为870℃-1050℃，保持时间t₁为2h-6h，所述退火速率K₁为0.7℃/min-1.5℃/min，所述目标温度T₂为740℃-940℃。

3.根据权利要求1所述的耐辐射光纤的制备方法，其特征在于，所述载氢的方法包括：将经退火后的光纤预制棒置于氢气气氛中进行载氢处理，制得经载氢后的光纤预制棒。

4.根据权利要求3所述的耐辐射光纤的制备方法，其特征在于，所述氢气的压力为0.5MPa-2.0MPa，所述氢气的浓度大于99v％；所述载氢处理的时间为1h-24h。

5.根据权利要求3所述的耐辐射光纤的制备方法，其特征在于，所述氢气的压力为0.8-1.5MPa，所述氢气的浓度大于99v％，所述载氢处理的时间为4h-12h。

6.根据权利要求1所述的耐辐射光纤的制备方法，其特征在于，所述预辐照的方法包括：采用γ射线源对经载氢后的光纤预制棒进行预辐照处理，制得经预辐照后的光纤预制棒。

7.根据权利要求6所述的耐辐射光纤的制备方法，其特征在于，所述预辐照处理在辐射剂量率为10Gy/h-200Gy/h和辐射总剂量为0.4kGy-2.0kGy的条件下进行。

8.根据权利要求1所述的耐辐射光纤的制备方法，其特征在于，

在辐射总剂量为10Gy的环境下，所述单模光纤在1300nm和1550nm波段的衰减均不超过0.5dB/km；所述多模光纤在1300nm波段的衰减不超过0.6dB/km；

在辐射总剂量为10kGy的环境下，所述单模光纤在1300nm和1550nm波段的衰减均不超过4.0dB/100m；所述多模光纤在1300nm波段的衰减不超过6.0dB/100m。