[发明专利]电极结构及微显示器在审
申请号: | 201910100654.4 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN109709728A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 李方红;常嘉兴 | 申请(专利权)人: | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中华 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介质层 金属电极 第一材料 电极结构 微显示器 折射率 高介电常数 折射率材料 层叠设置 第二材料 高反射率 交替层叠 低电压 最底层 多层 覆盖 | ||
本发明提供一种电极结构及微显示器。所述电极结构包括金属电极以及覆盖所述金属电极上的介质层;所述介质层包括层叠设置的多层子介质层,相邻的两个子介质层的材料分别为第一材料及第二材料,最底层的子介质层的材料为第一材料,且所述第一材料的折射率大于第二材料的折射率,通过在金属电极上设置具有不同折射率材料交替层叠而成的介质层,并保持介质层具有高介电常数,能够使得金属电极在具有高反射率的同时,保持低电压降。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种电极结构及微显示器。
背景技术
硅基微显示器(Micro Display)是将显示器与单晶硅集成电路结合,其明显特征是显示器以制备有CMOS驱动电路的单晶硅芯片为基底,且显示器尺寸非常小,需借助一定的光学系统放大图像信息。CMOS工艺具有低成本、小体积等特点,是集成电路工业的基石。
硅基微显示器像素尺寸很小,可以产生更高的显示分辨率,具有广阔的应用前景,可应用于军事、医学、航空航天以及消费电子等领域,特别是穿戴设备、虚拟现实、增强现实等新型应用。
目前,硅基为显示技术主要为硅基有机发光二极管(OLED-on-Silicon)微显示技术与硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon,LCOS)微显示技术,其中LCOS技术研究较为成熟,在半导体产品领域,有一些特殊应用场景,需要加强金属电极表面的反射率,但又不希望施加到金属电极上的电压受太大影响,一个典型的例子即为上述的微显示器,包括各种反射式微显示器,如LCOS微显示器。
LCOS需要很光滑平亮的电极表层,反射率需最高,用铝合金于可见光范围可达93%,若平坦镜面因加工产生凹凸不平,则影响反射率,若镜面上有杂物或氧化层,也会吸收发射光,使反射率下降。为提升反射率,可依波长范围镀上光学膜,使反射率提高,但同时也会造成电极上加的电压被屏蔽,对顶层有效电压产生压降,减少其可工作效能,因此如何镀对膜,使反射增强,且不致于影响电压降过大,成为一个重要但困难的需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电极结构,能够使得电极在具有高反射率的同时,保持低电压降。
本发明的目的还在于提供一种微显示器,该微显示器的电极具有高的反射率及低电压降。
为实现上述目的,本发明提供了一种电极结构,包括金属电极以及覆盖所述金属电极上的介质层;
所述介质层包括层叠设置的多层子介质层,相邻的两个子介质层的材料分别为第一材料及第二材料,最底层的子介质层的材料为第一材料,且所述第一材料的折射率大于第二材料的折射率。
所述第一材料和第二材料的介电常数均大于10。
所述第一材料的折射率与第二材料的折射率的差值大于0.5。
所述介质层包括层叠设置的五层子介质层,其中第一、第三及第五层子介质层的材料为硅,第二及四层子介质层的材料为二氧化钛。
本发明提供一种微显示器,包括:相对设置的硅片及顶板、设于所述硅片及顶板之间的液晶层、设于所述硅片靠近所述顶板的一侧的多个间隔排列的底电极、覆盖所述底电极及硅片的介质层以及设于所述顶板靠近硅片的一侧的顶电极;
所述介质层包括层叠设置的多层子介质层,相邻的两个子介质层的材料分别为第一材料及第二材料,最底层的子介质层的材料为第一材料,且所述第一材料的折射率大于第二材料的折射率。
所述第一材料和第二材料的介电常数均大于10。
所述第一材料的折射率与第二材料的折射率的差值大于0.5。
所述介质层包括层叠设置的五层子介质层,其中第一、第三及第五层子介质层的材料为硅,第二及四层子介质层的材料为二氧化钛。
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