[发明专利]测试样品及其制备方法

权利要求书

1.一种测试样品的制备方法，其特征在于，包括：

提供一包含目标区域的样品，所述样品由待测半导体样品研磨而成，具有单片晶圆厚度，所述目标区域的待测截面垂直于所述样品的厚度方向；

在所述样品的厚度方向上的两侧侧壁粘附陪片晶圆，所述陪片晶圆的表面与所述样品的表面齐平；

对所述陪片晶圆和所述样品表面整体进行研磨，直至暴露出所述目标区域的待测截面，研磨后的样品和陪片晶圆整体作为测试样品。

2.根据权利要求1所述的测试样品的制备方法，其特征在于，所述样品为长方体形。

3.根据权利要求1所述的测试样品的制备方法，其特征在于，所述陪片晶圆与所述样品粘贴的侧壁形状和尺寸相同。

4.根据权利要求1所述的测试样品的制备方法，其特征在于，采用抛光布对所述陪片晶圆和样品表面整体进行研磨。

5.根据权利要求4所述的测试样品的制备方法，其特征在于，研磨过程中，在研磨表面喷洒抛光液。

6.根据权利要求1所述的测试样品的制备方法，其特征在于，所述目标区域在三维坐标系中，至少一个坐标方向上的尺寸小于等于1μm。

7.根据权利要求1所述的测试样品的制备方法，其特征在于，还包括：将所述样品的底面固定于一固定晶圆上之后，再在所述样品的厚度方向上的两侧侧壁粘附陪片晶圆。

8.根据权利要求7所述的测试样品的制备方法，其特征在于，所述样品与所述固定晶圆之间通过导电胶固定。

9.根据权利要求7所述的测试样品的制备方法，其特征在于，所述陪片晶圆底部固定于所述固定晶圆表面。

10.根据权利要求9所述的测试样品的制备方法，其特征在于，所述陪片晶圆通过一胶层粘附于所述样品侧壁，所述胶层的厚度小于等于1μm。

11.根据权利要求1所述的测试样品的制备方法，其特征在于，所述样品表面与所述待测截面之间的距离大于等于1μm。

12.根据权利要求1所述的测试样品的制备方法，其特征在于，所述样品的目标区域与厚度方向上的侧壁之间的距离大于等于1μm。

13.一种测试样品，其特征在于，包括：

一包含目标区域的样品，所述样品的测试表面垂直于所述样品的厚度方向且暴露出所述目标区域的待测截面；

粘贴于所述样品厚度方向上的两侧侧壁的陪片晶圆，所述陪片晶圆表面与所述样品的测试表面齐平，且厚度一致，均小于单片裸晶圆的厚度。

14.根据权利要求13所述的测试样品，其特征在于，所述陪片晶圆与所述样品的测试表面的连接处具有连续的研磨痕迹。

15.根据权利要求13所述的测试样品，其特征在于，所述目标区域在三维坐标系中，至少一个坐标方向上的尺寸小于等于1μm。

16.根据权利要求13所述的测试样品，其特征在于，还包括固定晶圆，所述样品的底面固定于所述固定晶圆表面。

17.根据权利要求16所述的测试样品，其特征在于，所述样品底面与所述固定晶圆表面之间通过导电胶固定。

18.根据权利要求16所述的测试样品，其特征在于，所述陪片晶圆底部固定于所述固定晶圆表面。

19.根据权利要求18所述的测试样品，其特征在于，所述陪片晶圆通过一胶层粘附于所述样品侧壁，所述胶层的厚度小于等于1μm。

20.根据权利要求13所述的测试样品，其特征在于，所述样品的目标区域与厚度方向上的侧壁之间的距离大于等于1μm。