[发明专利]一种光热转换点阵阵列芯片的制备和应用有效

专利信息
申请号: 201910098750.X 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN109807345B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 皮付伟;尹子叶;刘玲;张圆媛;李颖;李文飞;孙秀兰 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: B22F9/24 分类号: B22F9/24;B22F1/00;C25D5/54;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/12;G01N33/50
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 林娟
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 光热 转换 点阵 阵列 芯片 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种光热转换阵列芯片的制备方法,包括如下步骤:(1)制备多枝状光热转化金颗粒黑体材料;(2)在亲水物质界面上制备微纳米点阵阵列;(3)将步骤(1)制备的金颗粒黑体材料沉降并键合到步骤(2)制备的微纳米点阵阵列表面,得到光热转换阵列芯片;

所述金颗粒黑体材料是在剧烈搅拌的条件下,用硝酸银和抗坏血酸还原HAuCl4制备而成;

所述步骤(1)是在20~25℃剧烈搅拌的条件下,控制pH=4.5~5.5,向金种溶液中加入摩尔比为1:(15~25)的硝酸银和抗坏血酸,反应8~12s;

所述步骤(2)包括如下步骤:

(a)将微球溶液分散在芯片基底上,形成单层微球点阵,自然风干;

(b)将固定有微球点阵的亲水基底蒸镀铝膜;

(c)超声清洗,除去微球颗粒,制得表面具有微纳孔洞铝膜的芯片基底;

(d)对步骤(c)处理后的芯片基底表面硅烷化处理,使处理后的界面带正电荷或负电荷。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述剧烈搅拌是在转速≥1000rpm的条件下进行搅拌。

3.应用权利要求1或2所述方法制备的光热转换阵列芯片。

4.根据权利要求3所述的光热转换阵列芯片,其特征在于,芯片的金纳米颗粒上连接抗体、酶、DNA或RNA。

5.权利要求3或4所述的光热转换阵列芯片在制备肿瘤细胞检测的产品中的应用,其特征在于,将带有疾病标记物的肿瘤细胞装载到所述光热转换阵列芯片上,经红外光线照射,观察细胞活性变化。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述标记物包括但不限于特异性抗体。

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