[发明专利]蚀刻液组合物

说明书

本发明提供一种蚀刻液组合物，用于湿法蚀刻含钛膜薄膜。所述蚀刻液组合物以氢氟酸为主氧化剂，并包括在蚀刻过程中在钛膜表面形成致密氧化膜的助氧化剂，在蚀刻过程中抑制钛膜离子聚集吸附的碱金属盐，以及溶剂。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，特别涉及蚀刻液组合物。

背景技术

有机电致发光二极管(OLED)显示装置因具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被广泛应用于显示领域。随着市场对OLED需求的不断增强，要求OLED的生产成本进一步降低。目前，OLED的成本受设备采购成本和运营成本的影响，导致OLED产品的成本居高不下。

因OLED对线宽要求较为严格，同时OLED的蚀刻制程多要求同时蚀刻多种金属膜。目前市场较少有能满足同时蚀刻多种金属膜需求的蚀刻液组合物。此外，作为主要蚀刻对象的金属钛膜及钛膜合金的抗腐蚀性强，因而在湿法蚀刻中的蚀刻速率较难以控制，限制了湿法蚀刻的应用。因此，目前主要采用干法蚀刻制程进行多种金属膜的同时蚀刻。

因而，需要一种新的蚀刻液组合物，可以满足对线宽和多金属膜层的需求，实现使用湿法蚀刻代替干法蚀刻，从而达到降低设备采购成本和运营成本的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种蚀刻液组合物，用于在触摸面板制程(Touch制程)中使用湿法蚀刻制程替代干法蚀刻制程蚀刻钛膜/铝膜/钛膜多层金属膜，以降低设备成本和生产成本并提高生产效率。

为了达到上述目的，本发明提供一种蚀刻液组合物，用于湿法蚀刻含钛膜薄膜。所述蚀刻液组合物以氢氟酸为主氧化剂，并包括在蚀刻过程中在钛膜表面形成致密氧化膜的助氧化剂，在蚀刻过程中抑制钛膜离子聚集吸附的碱金属盐，以及溶剂。

在本发明一实施例中，所述蚀刻液组合物按重量百分比包括：0.5～3％的氢氟酸，30～55％的助氧化剂，1～5％的碱金属盐，以及使总重量百分比为100％的溶剂。

在本发明一优选实施例中，相对于蚀刻液组合物总重量，所述蚀刻液组合物包括2～3％的氢氟酸，例如2.1％，2.2％，2.3％，2.4％，2.5％，2.6％，2.7％，2.8％，2.9％。

在本发明一优选实施例中，相对于蚀刻液组合物总重量，所述蚀刻液组合物包括1～3％的碱金属盐，例如1.1％，1.2％，1.3％，1.4％，1.5％，1.6％，1.7％，1.8％，1.9％，2.0％，2.1％，2.2％，2.3％，2.4％，2.5％，2.6％，2.7％，2.8％，2.9％。

在本发明一实施例中，所述助氧化剂为至少两种酸的混合。

在本发明一实施例中，所述助氧化剂为含卤酸与含氧酸的混合。

在本发明一实施例中，所述含卤酸为高溴酸、高氯酸中的一种或几种混合。

在本发明一实施例中，所述含含氧酸为硝酸。

在本发明一实施例中，所述蚀刻液组合物按重量百分比包括1～5％的硝酸和30～50％的高氯酸。

在本发明一优选实施例中，相对于蚀刻液组合物总重量，所述蚀刻液组合物包括2～3％的硝酸，例如2.1％，2.2％，2.3％，2.4％，2.5％，2.6％，2.7％，2.8％，2.9％。

在本发明一优选实施例中，相对于蚀刻液组合物总重量，所述蚀刻液组合物包括35～45％的高氯酸，例如36％，37％，38％，39％，40％，41％，42％，43％，44％。

在本发明一实施例中，所述溶剂为去离子水。

在本发明一实施例中，所述碱金属盐为硝酸钠。