[发明专利]一种高硬度Si3N4陶瓷天线罩高效精密加工制备方法在审
申请号: | 201910097434.0 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN109608204A | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 苏通;廖荣;刘小俊;王洪升;朱保鑫;张萍萍;盖莹 | 申请(专利权)人: | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 赵奕 |
地址: | 255000 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 烧结 天线罩 加工 精密加工 高硬度 预烧 毛坯体 造粒 氮化硅陶瓷 可加工性 冷等静压 形状变化 预烧结体 制备周期 氮化硅 耐高温 体加工 粉体 坯体 异形 模具 成型 压制 | ||
1.一种高硬度Si3N4陶瓷天线罩高效精密加工制备方法,其特征是:包括以下步骤:
(1)坯体制备:Si3N4粉体进行造粒,再将造粒成型,接着压制成为毛坯体;
(2)将毛坯体进行预烧;
(3)对烧结后的坯体进行精密加工;
(4)将加工后的工件进行终烧,使工件完全烧结,即可。
2.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(1)中的Si3N4粉体进行造粒的粒度为30~50μm。
3.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(1)中使用闭式离心喷雾干燥机造粒。
4.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(1)中Si3N4粉体粒度为求1~5μm以下,纯度为99.99%。
5.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(1)中在冷等静压条件下压制成为毛坯体。
6.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(2)和/或(4)中,使用气氛压力烧结炉进行预烧和/或终烧。
7.如权利要求6所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述气氛压力烧结炉升温速度为100℃/min,在预烧温度下保持2~5h后降温。
8.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(2)中预烧的烧结温度为1000~1300℃。
9.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(4)中终烧的温度为1600~1800℃。
10.权利要求1-9任一所述的加工制备方法得到的Si3N4天线罩。
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