[发明专利]一种高硬度Si3N4陶瓷天线罩高效精密加工制备方法在审

专利信息
申请号: 201910097434.0 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN109608204A 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 苏通;廖荣;刘小俊;王洪升;朱保鑫;张萍萍;盖莹 申请(专利权)人: 山东工业陶瓷研究设计院有限公司
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 赵奕
地址: 255000 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 制备 烧结 天线罩 加工 精密加工 高硬度 预烧 毛坯体 造粒 氮化硅陶瓷 可加工性 冷等静压 形状变化 预烧结体 制备周期 氮化硅 耐高温 体加工 粉体 坯体 异形 模具 成型 压制
【权利要求书】:

1.一种高硬度Si3N4陶瓷天线罩高效精密加工制备方法,其特征是:包括以下步骤:

(1)坯体制备:Si3N4粉体进行造粒,再将造粒成型,接着压制成为毛坯体;

(2)将毛坯体进行预烧;

(3)对烧结后的坯体进行精密加工;

(4)将加工后的工件进行终烧,使工件完全烧结,即可。

2.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(1)中的Si3N4粉体进行造粒的粒度为30~50μm。

3.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(1)中使用闭式离心喷雾干燥机造粒。

4.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(1)中Si3N4粉体粒度为求1~5μm以下,纯度为99.99%。

5.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(1)中在冷等静压条件下压制成为毛坯体。

6.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(2)和/或(4)中,使用气氛压力烧结炉进行预烧和/或终烧。

7.如权利要求6所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述气氛压力烧结炉升温速度为100℃/min,在预烧温度下保持2~5h后降温。

8.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(2)中预烧的烧结温度为1000~1300℃。

9.如权利要求1所述的Si3N4天线罩体加工制备方法,其特征是:所述步骤(4)中终烧的温度为1600~1800℃。

10.权利要求1-9任一所述的加工制备方法得到的Si3N4天线罩。

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