[发明专利]一种接地耦合式混合耦合器及毫米波超宽带单刀单掷开关

权利要求书

1.一种接地耦合式混合耦合器，其特征在于，包含在水平方向呈微带线形式的上金属层和呈接地耦合式缺陷地平面的下金属层，所述上金属层包括在水平方向平行耦合的两条耦合线，两条耦合线通过各自开有的金属通孔与下金属层连接，通过金属通孔连接的上层金属与下层金属构成交换核，所述上金属层正下方的下金属层刻蚀有沿垂直方向轴对称的间隙，所述下金属层还刻蚀有关于交换核中心对称的多边形。

2.一种毫米波超宽带单刀单掷开关，其特征在于，包括：权利要求1所述的接地耦合式混合耦合器、第一偏置电阻、第二偏置电阻、第一控制晶体管、第二控制晶体管，接地耦合式混合耦合器的输入端口、第一控制晶体管的漏极均接输入端子，接地耦合式混合耦合器的输出端口、第二控制晶体管的漏极均接输出端子，第一控制晶体管的栅极接第一偏置电阻的一端，第二控制晶体管的栅极接第二偏置电阻的一端，第一偏置电阻的另一端和第二偏置电阻的另一端并接后作为毫米波超宽带单刀单掷开关的控制端，第一控制晶体管的源极和第二控制晶体管的源极与呈接地耦合式缺陷地平面的下金属层共同接地。

3.根据权利要求2所述一种毫米波超宽带单刀单掷开关，其特征在于，根据毫米波超宽带单刀单掷开关低插损和高隔离度的设计要求，调整接地耦合式混合耦合器下金属层间隙的个数以及多边形的尺寸和图案。

4.根据权利要求2所述一种毫米波超宽带单刀单掷开关，其特征在于，所述接地耦合式混合耦合器与第一偏置电阻、第二偏置电阻、第一控制晶体管、第二控制晶体管集成在同一芯片上，且第一控制晶体管、第二控制晶体管的漏极均与上金属层连接，第一控制晶体管、第二控制晶体管的源极均与下金属层连接。