[发明专利]存储器系统及半导体存储装置

权利要求书

1.一种存储器系统，具备：

半导体存储装置；以及

控制器，控制所述半导体存储装置；且

所述半导体存储装置包含：

多个第1配线层，沿第1方向积层；

多个第2配线层，在与所述第1方向交叉的第2方向上，与所述多个第1配线层中的任一个分离地分别配置；

半导体柱，设置在所述多个第1配线层与所述多个第2配线层之间，且沿所述第1方向延伸；

第1电荷蓄积层，配置在所述多个第1配线层与所述半导体柱之间；

第2电荷蓄积层，配置在所述多个第2配线层与所述半导体柱之间；以及

控制部，能够进行独立地选择所述多个第1配线层的一个及所述多个第2配线层中的相对应的一个的第1模式的控制以及一次选择所述多个第1配线层的所述一个及所述多个第2配线层中的相对应的所述一个的第2模式的控制；且

所述控制器控制所述半导体存储装置的所述控制部，使它进行所述第1模式的控制或所述第2模式的控制。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中

在写入动作中，在所述控制部进行所述第1模式的控制的情况下，对所述多个第1配线层的所述一个施加第1电压，对所述多个第2配线层的所述一个施加低于所述第1电压的第2电压，在所述控制部进行所述第2模式的控制的情况下，对所述多个第1配线层的所述一个及所述多个第2配线层的所述一个施加所述第1电压。

3.根据权利要求1或2所述的存储器系统，其中

在读出动作中，在所述控制部进行所述第1模式的控制的情况下，对所述多个第1配线层的所述一个施加第3电压，对所述多个第2配线层的所述一个施加低于所述第3电压的第4电压，在所述控制部进行所述第2模式的控制的情况下，对所述多个第1配线层的一个及所述多个第2配线层的所述一个施加所述第3电压。

4.根据权利要求1或2所述的存储器系统，其中

所述半导体存储装置包含关于所述第1模式及所述第2模式的信息，

所述控制器基于所述信息指定所述第1模式及所述第2模式中的一个。

5.根据权利要求1或2所述的存储器系统，其中

所述控制器在指定所述第2模式的情况下，对要发送到所述半导体存储装置的写入命令及读出命令赋予指示所述第2模式的执行的命令。

6.根据权利要求1或2所述的存储器系统，其中

所述控制器在所述多个第1配线层与所述多个第2配线层为非电连接的情况下，在包含所述多个第1配线层及所述多个第2配线层的块中，指定所述第1模式，

在所述多个第1配线层中的至少一个与所述多个第2配线层中的至少一个电连接的情况下，在所述块中，指定所述第2模式。

7.一种半导体存储装置，具备：

半导体衬底；

多个第1配线层，沿第1方向积层；

多个第2配线层，在与所述第1方向交叉的第2方向上，与所述多个第1配线层中的任一个分离地分别配置；

半导体柱，设置在所述多个第1配线层与所述多个第2配线层之间，且沿所述第1方向延伸；

第1电荷蓄积层，配置在所述多个第1配线层与所述半导体柱之间；

第2电荷蓄积层，配置在所述多个第2配线层与所述半导体柱之间；以及

控制部，能够进行独立地选择所述多个第1配线层的一个及所述多个第2配线层中的相对应的一个的第1模式的控制以及一次选择所述多个第1配线层的一个及所述多个第2配线层中的相对应的一个的第2模式的控制。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中

在写入动作中，在所述控制部进行所述第1模式的控制的情况下，对所述多个第1配线层的所述一个施加第1电压，对所述多个第2配线层的所述一个施加低于所述第1电压的第2电压，在所述控制部进行所述第2模式的控制的情况下，对所述多个第1配线层的所述一个及所述多个第2配线层的所述一个施加所述第1电压。