[发明专利]磁存储装置

说明书

实施方式的磁存储装置具备：第1配线；第2配线，设置在所述第1配线的上层侧；第3配线，设置在所述第2配线的上层侧；第1存储器单元，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，包含含有磁性层的第1积层构造；第2存储器单元，设置在所述第2配线与所述第3配线之间，包含含有磁性层的第2积层构造；及光反射层，设置在所述第1配线的上层侧且所述第3配线的下层侧，具有较光透过率高的光反射率。

关联申请案

本申请案享有以日本专利申请案2018-171462号(申请日：2018年9月13日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

实施方式主要涉及一种磁存储装置。

背景技术

提出有如下磁存储装置(半导体集成电路装置)，其在半导体基板上设置有磁阻效应元件(magnetoresistive element)及具有选择磁阻效应元件的开关功能的元件。

在上述磁存储装置中，为了提高集成度，也提出有对包含磁阻效应元件及具有开关功能的元件的存储器单元进行积层(stack)。

然而，先前并不能说对存储器单元进行积层时的构造已充分实现最佳化。

发明内容

实施方式提供实现对存储器单元进行积层时的构造的最佳化的磁存储装置。

实施方式的磁存储装置具备：第1配线；第2配线，设置在所述第1配线的上层侧；第3配线，设置在所述第2配线的上层侧；第1存储器单元，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，包含含有磁性层的第1积层构造；第2存储器单元，设置在所述第2配线与所述第3配线之间，包含含有磁性层的第2积层构造；及光反射层，设置在所述第1配线的上层侧且所述第3配线的下层侧，具有较光透过率高的光反射率。

附图说明

图1是示意性表示第1实施方式中所使用的磁存储装置的概略构成的俯视图。

图2是示意性表示第1实施方式中所使用的磁存储装置的概略构成的截面图。

图3A是示意性表示第1积层构造及第2积层构造的基本的第1构成例的截面图。

图3B是示意性表示第1积层构造及第2积层构造的基本的第2构成例的截面图。

图4是示意性表示第1实施方式的磁存储装置的第1构成例的截面图。

图5涉及第1实施方式的第1构成例，且是表示形成第2存储器单元膜之后的热处理的图。

图6涉及第1实施方式的第2构成例，且是表示形成第2存储器单元膜之后的热处理的图。

图7涉及第1实施方式，且是表示卤素灯的分光放射率特性的图。

图8涉及第1实施方式，且是表示各种材料的反射率特性的图。

图9是示意性表示第2实施方式的磁存储装置的构成的截面图。

图10涉及第2实施方式，且是表示形成第2存储器单元膜之后的热处理的图。

图11A是示意性表示第3实施方式的磁存储装置的第1构成例的截面图。

图11B是示意性表示第3实施方式的磁存储装置的第2构成例的截面图。

图12涉及第3实施方式，且是表示形成第2存储器单元膜之后的热处理的图。

图13是示意性表示第4实施方式的磁存储装置的第1构成例的截面图。

图14涉及第4实施方式，且是表示形成第2存储器单元膜之后的热处理的图。