[发明专利]高熵二硅化物及其制备方法

权利要求书

1.一种高熵二硅化物，其特征在于，其化学式为(A_0.2D_0.2E_0.2G_0.2J_0.2)Si₂，其中，A、D、E、G、J为Ti、Zr、Nb、Mo、Hf和W中的任意五种不同的金属元素；所述的高熵二硅化物的制备方法，包括以下步骤：

步骤1)：按照摩尔比1:1:1:1:1:2的比例分别称取A、D、E、G、J的金属粉末及Si粉；

步骤2)：将五种金属粉末与Si粉混合；

步骤3)：将所得混合粉体装入石墨模具，并置于放电等离子体烧结炉内，于1250-1350℃、10-80MPa的烧结条件下，在真空条件下或氩气气氛中，烧结5-30分钟，制得高熵二硅化物。

2.如权利要求1所述高熵二硅化物，其特征在于，所述步骤1)中金属粉末的粒径为1-50μm，质量纯度≥99％；Si粉的粒径为1-45μm，质量纯度≥99.5％。

3.如权利要求1所述高熵二硅化物，其特征在于，所述步骤2)中原料混合方式为湿法行星球磨，球磨介质为乙醇或丙酮，磨球材质为Si₃N₄，具体步骤为：采用湿法行星球磨工艺，在400～580转/分钟的转速下，将所称取的原料粉体球磨混合8-24h，再利用旋转蒸发仪将所得料浆烘干，得到干燥的混合粉体。

4.如权利要求1所述高熵二硅化物，其特征在于，所述步骤3)中真空条件的真空度小于10Pa。

5.如权利要求1所述高熵二硅化物，其特征在于，所述步骤3)中氩气的质量纯度大于99.99％。