[发明专利]一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法在审
申请号: | 201910090392.8 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN109920724A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 吴群;陈建华;王绪领;赵亮 | 申请(专利权)人: | 矽品科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 范丹丹 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗材料 氧化物 喷洒 有机可焊性保护剂 快速去除 热风吹干 基板 有机可焊保护剂 酸碱中和反应 清洁度 传送网带 化学药液 金属表面 清洁流程 去离子水 洗净药液 循环热风 弱碱性 产能 吹干 入料 焊接 浸润 浸泡 清洗 残留 | ||
1.一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
S1:入料;
将待清洗材料放置于传送网带上开始进入清洁流程;
S2:喷洒浸泡;
使用弱碱性药液对待清洗材料进行喷洒浸润,待清洗材料的金属表面有机可焊保护剂及氧化物与化学药液进行充分酸碱中和反应;
S3:水洗;
使用去离子水喷洒清洗经所述S2步骤得到的待清洗材料,洗净药液残留;
S4:热风吹干;
使用循环热风吹干所述S3步骤得到的待清洗材料,得到热风吹干后的待清洗材料进入下一焊接步骤。
2.根据权利要求1所述的一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:在所述S2步骤中,所述弱碱性药液包括去离子水、胺类溶剂和脂肪醇类溶剂,去离子水的组分浓度范围为30-50%,胺类溶剂的组分浓度范围为20-40%,脂肪醇类溶剂的组分浓度范围为30-40%。
3.根据权利要求2所述的一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:在所述S2步骤中,所述胺类溶剂主要为乙醇胺,含有弱碱性官能团,可与可焊性有机膜发生酸碱反应,使其分解并溶于药液中。
4.根据权利要求2所述的一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:所述脂肪醇类溶剂为脂肪醇聚乙烯醚,脂肪醇聚乙烯醚可与金属氧化物发生络合反应,形成金属络合物后,溶于药液中。
5.根据权利要求1所述的一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:在所述S2步骤中,使用弱碱性药液对待清洗材料进行喷洒浸润,喷洒距离约30-50cm,常温下浸润时间大于2分钟。
6.根据权利要求1所述的一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:在所述S1步骤中,所述待清洗材料为基板材料或封装材料基板面。
7.根据权利要求1所述的一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:所述传送网带的下方设置有为传送网带提供动力的动力机构。
8.根据权利要求3所述的一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:所述动力机构为驱动源或电机。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品科技(苏州)有限公司,未经矽品科技(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910090392.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造