[发明专利]一种太赫兹片上集成过渡结构

权利要求书

1.一种太赫兹片上集成过渡结构，其特征在于，包括依次连接的：输入端波导、太赫兹芯片电路以及输出端波导；所述输入端波导、输出端波导均由两级波导构成，具体为：第一级标准波导与第二级减高波导；所述输入端波导、输出端波导中的减高波导的末端为短路平面；

所述太赫兹芯片电路至少包括：芯片主电路、输入端微带E面探针、输出端微带E面探针；输入端微带E面探针伸入所述输入端波导中的减高波导内；输出端微带E面探针伸入所述输出端波导中的减高波导内；所述输入端微带E面探针与输出端微带E面探针还与芯片主电路相连。

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹片上集成过渡结构，其特征在于，输入端微带E面探针从输入端波导中的减高波导H面能量最强中心处内伸入；输出端微带E面探针从输处端波导中的减高波导H面能量最强中心处内伸入。

3.根据权利要求2所述的一种太赫兹片上集成过渡结构，其特征在于，所述输入端波导中的减高波导的长度大于输入频率的四分之一波导波长，所述输出端波导中的减高波导的长度大于输出频率的四分之一波导波长。

4.根据权利要求3所述的一种太赫兹片上集成过渡结构，其特征在于，所述输入端波导中的减高波导和输出端波导中的减高波导均设有一开口，所述开口位于相应减高波导的H面径向轴线处，且开口长边与轴线平行，所述输入端波导中的减高波导开口长边长度与太赫兹芯片电路短边长度相等，输出端波导中的减高波导开口长边长度与太赫兹芯片短边长度相等。

5.根据权利要求4所述的一种太赫兹片上集成过渡结构，其特征在于，所述输入端微带E面探针通过输入端波导的减高波导的开口插入；所述输出端微带E面探针通过输出端波导的减高波导的开口插入。

6.根据权利要求5所述的一种太赫兹片上集成过渡结构，其特征在于，所述太赫兹芯片电路还包括：渐变匹配结构与接地共面波导；所述接地共面波导包括：中心导带、接地板、衬底基片以及背面金属；所述衬底基片位于接地板与背面金属之间；

所述输入端的E面微带探针和接地共面波导中心导带通过一段高阻抗的渐变匹配结构连接；所述输出端的E面微带探针和接地共面波导中心导带通过一段高阻抗的渐变匹配结构连接；

所述接地板通过大小相同且等距离排列的金属柱穿过衬底与背面金属连接。

7.根据权利要求6所述的一种太赫兹片上集成过渡结构，其特征在于，所述输入段波导的减高波导开口形成第一腔体槽，输出端波导的减高波导开口形成第二腔体槽；所述太赫兹芯片电路两短边对应的两端分别放置于第一腔体槽与第二腔体槽中。

8.根据权利要求7所述的一种太赫兹片上集成过渡结构，其特征在于，包括以下可调参数：

输入端波导的减高波导开口位置、输入端波导的减高波导开口尺寸、输入端波导的减高波导长度、输入端波导的减高波导E面宽度、输出端波导的减高波导开口位置、输出端波导的减高波导开口尺寸、输出端波导的减高波导长度、输出端波导的减高波导E面宽度、微带E面探针的结构、微带E面探针的尺寸、微带E面探针的位置。

9.根据权利要求8所述的一种太赫兹片上集成过渡结构，其特征在于，通过调整输入端波导的减高波导的E面宽度，使输入信号以主模进行单模传输；通过调整输出端波导的减高波导的E面宽度，抑制太赫兹芯片电路输出端的杂散波。