[发明专利]芯片的测试方法有效

专利信息
申请号: 201910089977.8 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN109613420B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 孙黎瑾 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 测试 方法
【说明书】:

发明公开了一种芯片的测试方法,针对无flash寄存器的独立IP芯片,进行不同温度下的trimming的dac值写入,包含:第一步,在某一温度下,对晶圆上的芯片进行模拟量的个性化trimming;第二步,将trimming得到的dac值及对应的坐标记录在指定文件中;第三步,升/降到其他的指定温度,调用所述的指定文件,将相应的坐标对应的个性化trimming的dac值进行重新载入;第四步,将载入的个性化trimming的dac值设置进芯片。本发明所述的芯片的测试方法,通过将某一温度的个性化trimming dac值及其坐标信息通过指定文件进行存储,并在变换温度需要重新调用时读取指定文件,查找并匹配相应坐标来实现个性化trimming dac值的重新载入,避免了人为干预,提高了测试效率,降低了测试成本。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路测试领域,特别是指一种芯片的测试方法,具体是指芯片无记忆载体情况下实现不同温度下个性化trimming dac值写入的测试方法。

背景技术

在芯片IP评价过程中,需要考核温度改变对产品性能的影响。

在Flash芯片测试时,时常需要对模拟量的dac值进行扫描,直至搜寻到合适的dac值,即修调(Trimming)测试。采用的方法是对于每颗测试芯片的dac扫描方式统一从0开始扫向末尾值。芯片IP评价往往需要对高温下个性化trimming dac的值在常温或低温下设置,或对常温下个性化trimming dac的值在高温或低温下设置,以此来评价改变温度对产品性能的影响。但由于单独IP脱离flash,没有存储个性化trimming dac值的寄存器,而手动一个个die(晶圆上的晶粒)逐一设置数量多时间长,如图1所示,对于晶圆上的die,需要对die首先在温度a的条件下进行逐个调试并将所得的dac值进行手动设置,然后进行下一枚die的trimming,再将所得的dac值在进行手动设置,一直到最后一颗die,然后调整测试温度到温度b,回到开头对第一颗die重新进行trimming,重复上述的逐个trimming。在需要调试的温度区间范围比较大时,调试的工作量就非常大,这样会使整个调试的时间成本非常高,缺乏可操作性,特别是对于量产产品的测试需求,时效性显得尤为重要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种芯片的测试方法,测试对象为单独IP,无flash寄存器可用的芯片进行不同温度下的个性化trimming DAC值的写入。

为解决上述问题,本发明所述的芯片的测试方法,针对无flash寄存器的独立IP芯片,进行不同温度下的trimming的dac值写入,包含:

第一步,在某一温度下,对晶圆上的芯片进行模拟量的个性化trimming;

第二步,将trimming得到的dac值及对应的坐标记录在指定文件中;

第三步,升/降到其他的指定温度,调用所述的指定文件,查找并匹配对应坐标,将相应的坐标对应的个性化trimming的dac值进行重新载入;

第四步,将载入的个性化trimming的dac值设置进芯片。

进一步的改进是,所述第一步中,首次进行的trimming是在某一指定的基准温度下进行。

进一步的改进是,所述的坐标是在当前trimming的die在晶圆中的位置信息。

进一步的改进是,所述的trimming及将dac值写入指定的文件,以及调用dac值,是通过测试程序来完成。

进一步的改进是,所述的第三步中,调整到其他的指定温度时,重新调用指定文件,查找到对应坐标的die的dac值,进行重新载入。

进一步的改进是,所述的第四步中,还包括完成不同温度下的模拟量的评价。

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