[发明专利]MOS晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底上依次形成栅介质层和多晶硅栅，在所述多晶硅栅表面形成第二介质层；

步骤二、光刻定义出栅极结构的形成区域，依次对所述第二介质层、所述多晶硅栅和所述栅介质层进行刻蚀形成由所述栅介质层和所述多晶硅栅叠加而成的栅极结构，在所述多晶硅栅的顶部同时叠加了所述第二介质层；

步骤三、依次形成第三介质层、第四介质层和第五介质层，所述第五介质层的材料和所述第二介质层的材料相同；

步骤四、采用全面刻蚀工艺对所述第五介质层、所述第四介质层和所述第三介质层进行刻蚀并在所述栅极结构的侧面自对准形成侧墙；所述侧墙由所述第三介质层、所述第四介质层和所述第五介质层叠加而成，所述侧墙的顶部表面和所述第二介质层的顶部表面相平；

步骤五、在形成金属硅化物之前进行去除所述第五介质层的步骤，所述第二介质层也同时被去除，所述第二介质层被去除之后在所述多晶硅栅顶部形成一个由所述侧墙围成的凹陷区域，所述凹陷区域自对准定义出所述多晶硅栅顶部的所述金属硅化物的形成区域；

步骤六、形成所述金属硅化物，所述多晶硅栅顶部的所述金属硅化物形成于所述凹陷区域中且所述多晶硅栅顶部的所述金属硅化物的顶部表面位于所述侧墙的顶部表面以下，通过所述侧墙对所述多晶硅栅顶部的所述金属硅化物的侧面进行保护。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求2所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述栅介质层的材料为氧化层；所述第二介质层、所述第三介质层和所述第五介质层的材料都为氧化层；

所述第四介质层的材料为氮化层。

4.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述第二介质层的厚度大于等于

5.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：在所述步骤一形成所述栅介质层之前还包括在所述半导体衬底表面形成场氧化层的步骤，由所述场氧化层隔离出有源区。

6.如权利要求5所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述场氧化层采用浅沟槽隔离工艺形成。

7.如权利要求5所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述场氧化层采用局部场氧化工艺形成。

8.如权利要求2所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：在步骤四形成所述侧墙之后以及步骤五之前，还包括如下步骤：

采用源漏注入工艺在所述栅极结构的所述侧墙两侧自对准形成源区和漏区。

9.如权利要求8所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：在步骤二形成所述栅极结构之后以及步骤三形成所述第三介质层之前还包括如下步骤：

采用轻掺杂漏注入工艺在所述栅极结构的两侧自对准形成轻掺杂漏区，所述源区和所述漏区中叠加有对应的所述轻掺杂漏区。

10.如权利要求8所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：步骤六中在所述源区和所述漏区的表面也形成有所述金属硅化物。

11.如权利要求10所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：形成所述金属硅化物的步骤包括：

形成一层第一金属层；

对所述第一金属层进行硅化反应在所述第一金属层和硅接触的区域自对准形成所述金属硅化物；

去除为形成所述金属硅化物的所述第一金属层。