[发明专利]一种扇出型倒置封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910089056.1 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109887890A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王新;蒋振雷 | 申请（专利权）人： | 杭州晶通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/522;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 310016 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 重新布线层 塑封层 封装结构 倒置 扇出型 有机物薄膜 翘曲度 减小 涂覆 制备 芯片 有机物树脂 封装芯片 固定芯片 后续工艺 塑封芯片 芯片偏移 芯片位置 制作过程 上表面 偏移 外露 良率 塑封 凸起 薄膜 释放 缓解 帮助 | ||
1.一种扇出型倒置封装结构，其特征在于：包括重新布线层，在重新布线层的上表面设置芯片，再沿芯片自重新布线层凸起的形状涂覆一层与凸起的形状适配的有机物薄膜，有机物薄膜上为塑封层。
2.根据权利要求1所述的扇出型倒置封装结构，其特征在于：在塑封层外露的一面设有均匀分布的沟槽。
3.根据权利要求1所述的扇出型倒置封装结构，其特征在于：在重新布线层的下表面金属触点位置涂覆有锡球。
4.根据权利要求1所述的扇出型倒置封装结构，其特征在于：重新布线层由若干介电层和金属导电层构成。
5.根据权利要求1所述的扇出型倒置封装结构，其特征在于：所述芯片的器件面朝向重新布线层。
6.根据权利要求1所述的扇出型倒置封装结构，其特征在于：所述沟槽的宽度为0.5～5mm，沟槽的深度为50～500μm。
7.一种如权利要求1所述的扇出型倒置封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)在临时载片表面粘附热剥离膜，该热剥离膜外露的表面为第一表面；
2)在步骤1)所得到的热剥离膜表面进行倒装芯片贴装，芯片的器件面朝向第一表面；
3)在芯片上面继续以旋涂方式涂覆一层有机树脂薄膜并固化；
4)将贴附在临时载片上的芯片和机树脂薄膜进行整体塑封，形成塑封层，该塑封层的表面为第二表面；
5)在塑封层的第二表面上制作沟槽；
6)采用热剥离的办法将临时载片与塑封层分离并去除热剥离膜，从而使塑封层的与第一表面所接触的面上裸露出来；
7)根据芯片的位置，用薄膜工艺在塑封层的裸露面制作重新布线层；
8)在重新布线层的下表面采用植球工艺完成锡球的焊接；
9)进行单元切割以得到单独的封装体。
8.根据权利要求7所述的扇出型倒置封装结构的制备方法，其特征在于：所述有机树脂薄膜为PI薄膜或PBO薄膜。
9.根据权利要求7所述的扇出型倒置封装结构的制备方法，其特征在于：所述临时载片为玻璃载片、石英载片、硅片载片和陶瓷载片中的任意一种。
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