[发明专利]一种适用于高压的电源稳压电路

权利要求书

1.一种适用于高压的电源稳压电路，其特征在于，所述电路包括：

选通模块、反馈电压模块、高压钳位负反馈调压模块、第一NMOS管以及逻辑模块；

所述选通模块与所述第一NMOS管和所述高压钳位负反馈调压模块分别连接，用于控制所述适用于高压的电源稳压电路的工作状态；

所述反馈电压模块与所述高压钳位负反馈调压模块、所述逻辑模块以及所述第一NMOS管分别连接，用于产生所述适用于高压的电源稳压电路的输出电压的反馈电压；

所述高压钳位负反馈调压模块与所述选通模块、所述反馈电压模块以及所述第一NMOS管分别连接，用于根据所述反馈电压，产生负反馈电压，还用于调节所述负反馈电压的大小以及钳位所述反馈电压，使得所述高压钳位负反馈调压模块正常工作；

所述第一NMOS管与所述选通模块、所述反馈电压模块以及所述高压钳位负反馈调压模块分别连接，用于产生高压缓存电路的输出电压，并根据所述负反馈电压的大小，调节所述输出电压的大小；

所述逻辑模块与所述反馈电压模块连接，用于调节所述反馈电压的大小。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述高压钳位负反馈调压模块包括：第二NMOS管、第三NMOS管以及第一电阻；

所述第二NMOS管的栅极与所述反馈电压模块连接；

所述第二NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接；

所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管用于产生所述负反馈电压；

所述第三NMOS管的栅极与预设固定电路连接，所述预设固定电路用于产生固定电压；

所述第三NMOS管的漏极与所述第一电阻的第一端和所述第一NMOS管的栅极分别连接；

所述第三NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管用于钳位所述反馈电压，以使得所述第二NMOS管正常工作；

所述第一电阻的第一端与所述第三NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极分别连接；

所述第一电阻的第二端与所述选通模块和所述第一NMOS的漏极分别连接，所述第一电阻用于根据所述负反馈电压，调节所述负反馈电压大小。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述适用于高压的电源稳压电路应用于存储器中，所述存储器包括控制模块；

所述控制模块与所述选通模块连接，用于向所述选通模块发送使能信号，所述使能信号用于控制所述选通模块的工作状态。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述选通模块用于根据所述使能信号导通所述适用于高压的电源稳压电路，或者，根据所述使能信号关断所述适用于高压的电源稳压电路。

5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述反馈电压模块包括：第二电阻以及第三电阻；

所述第二电阻的第一端与所述第一NMOS管的源极连接；

所述第二电阻的第二端与所述第二NMOS管的栅极和所述第三电阻的第一端分别连接；

所述第二电阻的第三端与所述逻辑模块连接；

所述第三电阻的第一端分别与所述第二NMOS管的栅极以及所述第二电阻的第二端连接；

所述第三电阻的第二端接地；

其中，所述第三电阻与所述第二电阻共同作用，产生所述反馈电压。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极和所述第一电阻的第一端分别连接；

所述第一NMOS管的漏极与所述选通模块和所述第一电阻的第二端分别连接；

所述第一NMOS管的源极与所述第二电阻的第一端连接，所述第一NMOS管的源极电压即为所述适用于高压的电源稳压电路的输出电压，所述第一NMOS管还用于根据所述负反馈电压的大小，调节所述输出电压的大小。

7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述适用于高压的电源稳压电路应用于存储器中，所述存储器包括数字电路模块；

所述数字电路模块与所述逻辑模块连接，用于向所述逻辑模块发送调阻信号，所述调阻信号用于控制所述逻辑模块的工作状态。