[发明专利]一种GMR/TMR麦克风的制造方法

权利要求书

1.一种GMR/TMR麦克风的制造方法，其特征在于，包括前道步骤和后道步骤；

所述前道步骤包括：

步骤S100：在晶圆上依次形成绝缘层、振膜层，并在振膜层上形成永磁体的图案；

步骤S200：在振膜层上形成覆盖永磁体的保护层，对保护层进行刻蚀，形成将部分振膜层露出的孔洞；

步骤S300：通过孔洞对部分振膜层进行刻蚀，在振膜层上形成缝隙；

步骤S400：在晶圆上依次形成牺牲层、第一背板层；并在第一背板层上形成与永磁体相对的GMR/TMR的图案；

步骤S500：在第一背板层上形成与GMR/TMR连接的连接线；

所述后道步骤包括：

步骤S600：在晶圆上通过ICPCVD的方式沉积第二背板层，其中ICPCVD的沉积温度为50-250℃；或者在晶圆上通过PECVD的方式沉积第二背板层，其中PECVD的沉积温度为200-250℃；

GMR/TMR与连接线层叠在第一背板层与第二背板层之间；对部分第二背板层、第一背板层进行干法RIE蚀刻，以将部分牺牲层露出；

步骤S700：对与连接线对应位置的第二背板层进行RIE蚀刻，以形成将部分连接线露出的缺口；

步骤S800：通过Liftoff工艺或者湿法腐蚀的方式在缺口的位置形成与连接线连接的焊盘；

步骤S900：对晶圆的背面进行研磨，并通过DRIE的方式刻蚀背腔；

步骤S1000：腐蚀牺牲层，以释放振膜层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S100中，绝缘层采用SiO₂，通过热氧化或LPCVD的方式形成在晶圆上；振膜层通过LPCVD的方式形成在绝缘层上，且其张应力在0-50MPa。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S100中，永磁体的图案通过PVD结合Liftoff或IBE刻蚀的方式在振膜层上形成，永磁体的厚度为0.01-0.5um。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤S200中，保护层采用SiNx材质，且通过PECVD的方式形成覆盖永磁体的所述保护层，其折射率RI为2.1-2.3，张应力10-100MPa；通过RIE的方式对保护层进行刻蚀形成所述孔洞。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤S300中，通过RIE的方式对多晶硅的振膜层进行刻蚀。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特在于，步骤S400中，所述牺牲层通过PECVD或者ICPCVD的方式形成，其折射率RI为1.4-1.5，PECVD的沉积温度为280-350℃，ICPCVD的沉积温度为50-300℃；牺牲层的压应力为0-100MPa；第一背板层采用SiNx，并通过PECVD的方式形成，其折射率RI为2.1-2.3。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特在于，步骤S400中，GMR/TMR的图案通过PVD结合Liftoff或干法IBE刻蚀的方式在第一背板层上形成，其厚度约10-60nm。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特在于，步骤S600中，第二背板层的材质与折射率与第一背极层相同。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特在于，还包括在振膜层上形成焊盘的步骤，其包括在步骤S700中，在通过RIE蚀刻形成缺口的同时，对第二背极层、第一背极层、牺牲层、保护层进行刻蚀形成将部分振膜层露出的空间，振膜层作为RIE蚀刻的停止线；还包括在步骤S800中，在形成与连接线连接的焊盘同时，形成与振膜层连接的另一焊盘。

10.一种根据上述权利要求1至9任一项制造方法制得的GMR/TMR麦克风。