[发明专利]建立标准单元库的方法与系统、芯片设计方法与系统有效
申请号: | 201910086921.7 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN111241768B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 叶惠玲 | 申请(专利权)人: | 叶惠玲 |
主分类号: | G06F30/39 | 分类号: | G06F30/39;G06F111/20 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 建立 标准 单元 方法 系统 芯片 设计 | ||
1.一种建立标准单元库的方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取以往的相同应用要求的多种不同的芯片设计;
获取各所述应用要求在设计上的限制条件;
设计具有固定布局方式的原始单元库;
制定对应所述原始单元库的工艺设计表格;
将所述芯片设计、原始单元库、工艺设计表格以及所述应用要求在设计上的限制条件进行逻辑合成,以形成标准单元库;
其中,进行所述逻辑合成以形成所述标准单元库的步骤包括:
根据所述芯片设计,从所述原始单元库中选取出逻辑功能符合需求的原始单元;
检查所述原始单元对应所述工艺设计表格中的数据是否符合所述限制条件,在不符合时,通过在所述原始单元串联相应数量的晶体管以及调整所述原始单元的高度和/或最大驱动强度,来产生新的标准单元,所述原始单元库和所述新的标准单元组成所述标准单元库。
2.如权利要求1所述的建立标准单元库的方法,其特征在于,所述固定布局方式中,所有P型晶体管的几何大小都是相同的;所有N型晶体管的几何大小都是相同的,且所有P型晶体管和所有N型晶体管的长度都是相同的;
所述工艺设计表格包括参数表格、速度表格和漏电流表格,所述参数表格用于记录所述原始单元库中各个原始单元的固定布局参数,所述速度表格用于记录所述原始单元库中各个原始单元的延迟时间,所述漏电流表格用于记录所述原始单元库中各个原始单元的漏电流;
检查所述原始单元对应所述工艺设计表格中的数据是否符合所述限制条件的步骤包括:
通过查所述漏电流表格来检查所述原始单元的漏电流是否符合所述限制条件,若不符合,则通过漏电流参数的算法确定在所述原始单元上串联多少数量的晶体管后的漏电流才能符合所述限制条件,并将串联有所述数量的原始单元创建为一个新的标准单元;以及,
通过查所述速度表格来检查所述原始单元的延迟时间是否符合同步时钟速度的要求,若不符合,则通过速度延迟的算法对所述原始单元的高度进行变化,以找到能够符合所述要求且高度最小和驱动强度最大的状态,并将所述状态的原始单元创建为一个新的标准单元。
3.一种建立标准单元库的系统,其特征在于,包括:
芯片设计获取模块,其被配置为获取以往的相同应用要求的多种不同的芯片设计;
第一应用限制模块,其被配置为获取各所述应用要求在设计上的限制条件;
原始单元库设计模块,其被配置为设计具有固定布局方式的原始单元库;
工艺设计表格模块,其被配置为制定对应所述原始单元库的工艺设计表格;
第一合成引擎,其被配置为将所述芯片设计、原始单元库、所述工艺设计表格以及所述限制条件进行逻辑合成,以形成新的标准单元;以及,
标准单元库模块,其被配置为存放所述原始单元库中的所有原始单元以及所述合成引擎产生的所有的新的标准单元,以形成标准单元库;
其中,所述第一合成引擎进一步被配置为:
根据所述芯片设计,从所述原始单元库中选取出逻辑功能符合需求的原始单元;
检查所述原始单元对应所述工艺设计表格中的数据是否符合所述限制条件,在不符合时,通过在所述原始单元上串联相应数量的晶体管以及调整所述原始单元的高度和/或最大驱动强度,来产生新的标准单元。
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