[发明专利]用于测量基质的厚度的测量方法和测量装置

权利要求书

1.一种用于测量基质的厚度的测量方法，所述基质具有相对的第一表面和第二表面，所述测量方法包括：

提供检测光束和参考光束；

获取所述检测光束自分布于所述第一表面上的多个入射点入射至所述第二表面上的与入射点一一对应的反射点而经过的光学检测路径上各点处产生的样本光束；

根据所述样本光束与所述参考光束相互干涉而形成的干涉光束，来获取包含随所述光源的波长变化的干涉信号；

根据所述干涉信号计算所述光学检测路径上各点的光强信息，并且根据与所述多个入射点相关的多个光强信息，获得所述基质的二维图像或三维图像；

在所述二维图像或三维图像中，根据所述光强信息随轴向深度的变化，确定所述基质与外界环境之间的界面位置；以及

在所述二维图像或三维图像中，根据所确定的界面位置获得所述基质的厚度。

2.根据权利要求1所述的测量方法，其中，所述基质为由两个或更多个介质层构成的多层结构，所述测量方法还包括：

在所述二维图像或三维图像中，根据所述光强信息随轴向深度的变化，确定所述多个介质层中的相邻介质层之间的物理界面的位置；以及

在所述二维图像或三维图像中，根据所确定的物理界面的位置以及各个介质相对于所述检测光束的折射率，获得所述两个或更多个介质层中的各介质层的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的测量方法，其中，提供检测光束和参考光束包括：

从光源提供单光束；以及

将所述单光束分为检测光束和参考光束。

4.根据权利要求3所述的测量方法，其中，

所述光源的中心波长的范围为约800nm-1550nm，优选为约840nm-1350nm；和/或

所述光源的带宽的范围为约30nm-160nm，优选为约35nm-110nm。

5.根据权利要求3所述的测量方法，其中，

所述光源的中心波长为约860nm且所述光源的带宽大于等于约35nm，或者所述光源的中心波长为约1310nm且所述光源的带宽大于等于约100nm，

优选地，中心波长为约860nm且带宽为约40nm，或者中心波长为约1310nm且带宽为约105nm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的测量方法，其中，所述测量方法具有以下一项或多项：

所述测量方法的轴向分辨率小于等于约10μm，并且大于等于约1μm；

所述测量方法在空气中的轴向最小成像深度为约8mm；

所述测量方法的横向分辨率为约0.1mm–0.6mm之间，优选为约0.2mm-0.5mm；

所述测量方法的纵向分辨率为约0.1mm–0.6mm，优选为约0.2mm-0.5mm。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的测量方法，其中，

所述光源为宽带光源，且所述第二获取单元包括成像光谱仪，所述光谱仪的分辨率的范围为约0.015nm-0.035nm，所述宽带光源的中心波长的范围为约800nm-1400nm；或者

所述光源为扫频光源，所述扫频光源的相邻波长间隔的范围为约0.015nm-0.035nm，所述扫频光源的中心波长的范围为约800nm-1400nm。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的测量方法，其中，所述基质或介质是透明的或半透明的，可选地，所述基质或介质是玻璃、PVB、PET或塑料中的一种或多种。