[发明专利]超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910085279.0 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109821480B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 赵智胜;张爽爽;罗坤;高宇飞;何巨龙;于栋利;胡文涛;田永君;徐波 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 刘阳 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 性非晶碳 块体 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将C60富勒烯预制成柱状坯体；
(2)将得到的柱状坯体装入六方氮化硼坩埚中，再装入高温高压组装块中；
(3)将组装块置于高温高压合成设备中进行高温高压处理，所述高温高压处理的温度为500-2000℃，压力为8-25GPa，保温时间为10-120分钟；
(4)处理完成后得到超硬半导体性非晶碳块体材料。
2.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，所述C60富勒烯为高纯粉末。
3.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，所述柱状坯体为直径1.2或2mm、高2.3mm的圆柱坯体。
4.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，所述高温高压组装块为标准8/3的高温高压组装块或标准10/5的高温高压组装块。
5.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，所述高温高压合成设备为T25超高压温合成装置。
6.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，所述高温高压处理的温度为1000-1200℃，压力为25GPa，保温时间为120分钟。
7.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法，其特征在于，所述超硬半导体性非晶碳块体材料的直径为1-1.9mm、高为1.2-1.7mm。
8.一种超硬半导体性非晶碳块体材料，其特征在于，根据权利要求1～7任意一项所述制备方法制备得到。
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