[发明专利]图像传感器和电子装置在审
申请号: | 201910084606.0 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN110120398A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 李启滉;林东皙;李光熙;尹晟荣;陈勇完 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光谱 光电转换器件 半导体基板 图像传感器 可见波长 滤波元件 成对电极 电子装置 红外波长 配置 感测 红外光 光电二极管 光电转换层 可见光 彼此面对 发明构思 滤色器 吸收 | ||
1.一种图像传感器,包括:
在半导体基板内的光电二极管,所述光电二极管被配置为感测红外波长光谱中的光;
在所述半导体基板上的光电转换器件,所述光电转换器件被配置为感测可见波长光谱中的光,所述光电转换器件包括:
彼此面对的成对电极,和
在所述成对电极之间的光电转换层,所述光电转换层被配置为选择性地吸收可见波长光谱中的光;以及
在所述光电转换器件上的多个滤色器,使得所述光电转换器件在所述多个滤色器与所述半导体基板之间。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光电转换层被配置为吸收整个可见波长光谱中的光。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中
所述光电转换层包括p型半导体和n型半导体,以及
所述n型半导体包括富勒烯或富勒烯衍生物。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中
所述p型半导体和所述n型半导体中的至少一种半导体包括吸光材料,所述吸光材料被配置为吸收所述可见波长光谱的至少一部分中的光,以及
所述p型半导体和所述n型半导体被共同配置为吸收整个可见波长光谱中的光。
5.根据权利要求3所述的图像传感器,其中所述p型半导体和所述n型半导体的每个半导体被配置为基本上不吸收所述红外波长光谱中的光。
6.根据权利要求3所述的图像传感器,其中所述光电转换层包括的所述n型半导体的量等于或大于所述光电转换层中的所述p型半导体的量。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光电转换层是包括至少一种有机吸光材料的有机光电转换层。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述多个滤色器的每个滤色器被配置为透过:
以下中的至少一种波长光谱中的光:
红色波长光谱,
绿色波长光谱,和
蓝色波长光谱,以及
红外波长光谱中的光。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述多个滤色器的每个滤色器选自红色滤色器、蓝色滤色器、绿色滤色器、青色滤色器、品红色滤色器、黄色滤色器和白色滤色器。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述多个滤色器中的至少一个滤色器在800nm至1000nm的红外波长光谱中具有大于或等于70%的平均透光率。
11.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光电二极管至少部分地位于所述半导体基板内,在离所述半导体基板的表面0nm至7000nm的深度处。
12.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
在所述半导体基板与所述光电转换器件之间的可见光阻挡膜。
13.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
在所述半导体基板与所述光电转换器件之间的半透半反层,所述半透半反层被配置为选择性地反射可见波长光谱的至少一部分。
14.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
带通滤波器,在所述多个滤色器上并且被配置为选择性地透过可见波长光谱中的光和红外波长光谱中的光。
15.一种图像传感器,包括:
从光入射方向起顺序堆叠的滤色器、有机光电转换器件和无机光电二极管,
其中所述有机光电转换器件被配置为光电转换穿过所述滤色器的可见波长光谱中的光,以及
所述无机光电二极管被配置为感测红外波长光谱中的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的