[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，该阵列基板的制造方法在有源层上通过多灰阶光罩对第一光阻进行曝光和显影，使第一光阻形成位于栅极上方的第一厚光阻区、位于端子栅极上方的第一无光阻区以及位于第一厚光阻区和第一无光阻区之间的第一薄光阻区；再刻蚀掉第一无光阻区内的有源层和栅极绝缘层，形成位于端子栅极上方的端子接触孔；对第一光阻进行灰化后刻蚀形成位于栅极上方的半导体层；使得制造源漏极金属的第二金属层可以通过端子接触孔与端子栅极直接连接，同时通过像素电极设在源漏极金属层下的结构减少光罩数量，避免了通过其他导电层桥接的不良风险。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

多阶曝光技术(Multi-tone mask，MTM)常用于显示行业内的阵列基板制程以缩减光罩数量，降低成本。传统的多阶曝光技术主要应用于通过一次性曝光和多次刻蚀实现半导体层和源漏极金属层的图案化，主要工艺流程如图1所示。工艺流程依序是：

S1：栅极金属成膜和图案化；

S2：栅极绝缘层、半导体层、源漏极金属成膜；

S3：使用多灰阶光罩进行多阶曝光；

S4：非沟道区半导体层、源漏极金属图案化；

S5：光阻灰化减薄；

S6：沟道区金属和半导体层刻蚀，TFT形成。

上述多阶曝光技术主要应用于半导体层和源漏极金属层，导致源漏极金属下就一定会有半导体层，而端子区域内源漏极金属与栅极金属无法通过栅极绝缘层的通孔直接互连，需要额外的金属或者非金属导体桥接，在设计上一般采用像素电极或者公共电极的透明导电层ITO进行桥接。

基于上述多阶曝光技术开发的用于FFS显示的阵列基板6道光罩工艺流程后续依序是：

S7：第一无机绝缘层和有机绝缘层形成，有机绝缘层图案化；

S8：公共电极层形成和图案化；

S9：第二无机绝缘层形成和图案化；

S10：像素电极层形成和图案化。

其中，6道光罩依次用于：栅极金属图案化、半导体层及源漏极图案化（MTM光罩）、有机绝缘层图案化、公共电极层图案化、第二无机绝缘层图案化、像素电极层图案化。

上述制程存在以下缺点：

1.端子区域内源漏极金属与栅极金属需要经过ITO桥接才能导通，断路或阻抗异常的风险较高；

2． 背沟道会遭受到干法刻蚀所用刻蚀气体或者湿法刻蚀所用刻蚀液中F等氧化性离子的影响，导致TFT特性不佳；

3.FFS模式的阵列基板制程所需要的光罩数量较多；

4.需要额外的有机绝缘膜，成本较高。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板及其制造方法，利用多阶曝光技术和多次刻蚀使得第二金属层可以通过端子接触孔与端子栅极直接连接，避免了通过其他导电层桥接的不良风险，同时通过像素电极设在源漏极金属层下的结构减少光罩数量。

本发明提供的技术方案如下：

根据本发明的第一方面，本发明公开了一种阵列基板的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

S1：在衬底基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化形成位于像素区域内的栅极和位于端子区域内的端子栅极；

S2：在第一金属层上覆盖并形成栅极绝缘层，接着在栅极绝缘层上覆盖有源层；