[发明专利]利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法

说明书

本发明公开利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法。根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法生成的动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元对各自的第一动态随机存取存储器单元及第二动态随机存取存储器单元共享支撑条及位线插头。由此，根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法所生成的动态随机存取存储器单元阵列，很大程度地减少整体布局面积。并且，在本发明优选实施例的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法中，动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元各自的存储器呈具有多个侧面突出部的多鳍类型，从而很大程度地增加存储器的面积。

技术领域

本发明涉及动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法，尤其，涉及利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法。

背景技术

通常，动态随机存取存储器(DRAM)包括多个动态随机存取存储器单元(DRAMcell)。此时，多个动态随机存取存储器单元由一个单元晶体管和一个存储器构成。而且，存储器可存储电荷，单元晶体管形成根据向栅极施加的电压导通位线和存储器之间的传送通道。

另一方面，随着动态随机存取存储器的高集成化，进行着与减少布局面积的动态随机存取存储器单元的研究。尤其，活跃地进行着与确保规定程度的单元晶体管的传送通道的长度并减少布局面积的技术有关的研究。

作为用于减少这种单元晶体管的布局面积的技术中的一种，单元晶体管具有垂直型填充剂。如上所述，具有垂直型填充剂的单元晶体管在限定的布局面积中也可体现所需要的通道长度的传送通道。

但是，具有这种垂直型填充剂的单元晶体管中，每个动态随机存取存储器单元需要一个填充剂，因此，减少动态随机存取存储器单元的布局面积受限。

由此，需要更有效地减少布局面积的动态随机存取存储器单元。

发明内容

本发明考虑到上述必要性而提出，本发明的目的在于，提供减少整体布局面积的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法。

用于实现上述目的的本发明的一实施方式为动态随机存取存储器单元阵列，排列多个动态随机存取存储器单元对，上述多个动态随机存取存储器单元对分别由第一动态随机存取存储器单元及第二动态随机存取存储器单元构成。本发明的动态随机存取存储器单元阵列包括：支撑条，相对于半导体基板的水平面按规定宽度和高度突出来向水平的第一方向扩大，用于将多个活动区域分为第一子区域和第二子区域，上述多个活动区域与上述多个动态随机存取存储器单元对相对应，沿着上述第一方向整齐地形成，在上述第一子区域及上述第二子区域形成对应的上述动态随机存取存储器单元对的上述第一动态随机存取存储器单元及上述第二动态随机存取存储器单元；第一字线及第二字线，形成于上述支撑条的两侧面，被分配到向上述多个动态随机存取存储器单元对各自的上述第一动态随机存取存储器单元及上述第二动态随机存取存储器单元的单元晶体管的栅极，上述多个动态随机存取存储器单元对各自的上述第一动态随机存取存储器单元及上述第二动态随机存取存储器单元的单元晶体管具有形成于上述半导体基板的水平和上述支撑条的侧面的传送通道；多个位线插头，与上述多个动态随机存取存储器单元对相对应地形成于上述支撑条，与各自对应的位线电连接，通过与各自对应的上述动态随机存取存储器单元对的上述第一动态随机存取存储器单元及上述第二动态随机存取存储器单元的上述单元晶体管的一侧接合部共享；以及上述多个存储器对，与上述多个动态随机存取存储器单元对对应形成，分别由第一存储器及第二存储器形成，上述第一存储器及上述第二存储器与上述第一子区域及上述第二子区域电连接来与上述第一动态随机存取存储器单元及上述第二动态随机存取存储器单元的上述单元晶体管的另一侧接合部电连接。