[发明专利]一种多孔Co3 有效
| 申请号： | 201910082249.4 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109650933B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 孔硌;郝瑶睿;齐珺;沈学涛;杨军;许占位 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/18;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 co base sub | ||
1.一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷，其特征在于，包括Al2SiO5陶瓷纤维板，在Al2SiO5陶瓷纤维板中的纤维表面及间隙中附着有Co3O4颗粒，Co3O4颗粒表面包覆有纳米级的Co界面层；
所述低密度吸波型复合陶瓷的制备方法包括以下步骤：
步骤1，制备四水合乙酸钴的摩尔浓度为0.1～0.4mol/L的乙酸钴溶液；
步骤2，在真空或压力下将Al2SiO5陶瓷纤维板浸渍在乙酸钴溶液中0.5h，制得预制体，所述预制体为在乙酸钴溶液中浸泡后的Al2SiO5陶瓷纤维板；将预制体干燥后进行热处理，得到一次浸渍后的多孔Co3O4/Al2SiO5复相陶瓷；
步骤3，重复步骤2若干次，至多孔Co3O4/Al2SiO5复相陶瓷中的Co3O4含量为10～50wt％，得到反复浸渍后的多孔Co3O4/Al2SiO5复相陶瓷；
步骤4，将步骤3得到的反复浸渍后的多孔Co3O4/Al2SiO5复相陶瓷在还原气氛下进行热处理，在多孔Co3O4/Al2SiO5复相陶瓷中的Co3O4表面形成一层纳米级的Co单质界面层，制备出多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷，其特征在于，所述多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷的密度≤0.7g/cm3。
3.根据权利要求1所述的一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷，其特征在于，所述多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷表面覆盖有SiO2层。
4.根据权利要求1所述的一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷，其特征在于，所述Co3O4颗粒的粒径为50～200nm，Co界面层的厚度为1～2nm。
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