[发明专利]一种SAR型ADC的高精度校准装置在审
| 申请号： | 201910081221.9 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109818617A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李婷;郭仲杰 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H03M1/10 | 分类号： | H03M1/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容阵列 电容 低位 电容校准 偏移误差 桥接 精度校准 校准模块 校准 开关阵列控制 数字控制逻辑 负向输入端 正向输入端 寄生电容 精度误差 开关阵列 模块连接 校准单元 依次连接 整体转换 比较器 匹配性 并联 导通 引入 | ||
1.一种SAR型ADC的高精度校准装置，其特征在于，包括比较器(1)，比较器(1)的负向输入端和正向输入端之间依次连接有高位电容阵列(6)和低位电容阵列(5)；高位电容阵列(6)与高位和偏移误差校准模块(3)连接，低位电容阵列(5)与低位和桥接电容校准模块(2)连接；高位电容阵列(6)和低位电容阵列(5)通过开关阵列(7)控制与数字控制逻辑(17)的导通；其中开关阵列(7)通过refp/refn方式连接；
所述高位和偏移误差校准模块(3)包括第一增益电容(8)，偏移误差校准(9)与多个高位电容校准并联，第一增益电容(8)与其连接；
所述低位和桥接电容校准模块(2)包括第二增益电容(17)，第二增益电容(17)与低位校准单元(18)连接。
2.根据权利要求1所述的SAR型ADC的高精度校准装置，其特征在于，所述高位电容校准包括与偏移误差校准(9)并列设置的高位C电容校准(10)、高位2C电容校准(11)、高位4C电容校准(12)、高位8C电容校准(13)和高位16C电容校准(14)。
3.根据权利要求2所述的SAR型ADC的高精度校准装置，其特征在于，所述偏移误差校准(9)、高位C电容校准(10)、高位2C电容校准(11)和高位4C电容校准(12)的结构为第一校准构型(15)，第一校准构型(15)包括多个并列设置的电容。
4.根据权利要求3所述的SAR型ADC的高精度校准装置，其特征在于，所述高位8C电容校准(13)和高位16C电容校准(14)的结构为第二校准构型(16)，第二校准构型(16)比第一校准构型(15)多一个并联电容。
5.根据权利要求1所述的SAR型ADC的高精度校准装置，其特征在于，所述低位和桥接电容校准模块(2)包括第二增益电容(17)，第二增益电容(17)与低位校准单元(18)连接。
6.根据权利要求5所述的SAR型ADC的高精度校准装置，其特征在于，所述低位校准单元(18)包括多个电容并联结构，多个电容并联结构与第二增益电容(17)顺序连接；靠近第二增益电容(17)的第一个电容并联结构为1个电容，电容并联结构的电容数量从第一个电容并联结构开始递增1个电容。
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