[发明专利]散热集成的电路芯片及其制作方法

权利要求书

1.散热集成的电路芯片，其特征在于，包括SOI片，所述SOI片自上而下包括顶层硅(4)、绝缘层(5)及底层硅(6)，所述SOI片纵向设置多个垂直通孔(9)，所述垂直通孔(9)贯穿所述绝缘层(5)及底层硅(6)，各所述垂直通孔(9)内均设置导电导热柱(2)，所述导电导热柱(2)底端裸露于所述底层硅(6)下表面，所述垂直通孔(9)内侧壁设置电学隔离层(3)，至少部分数量的所述导电导热柱(2)端部抵于所述顶层硅(4)底部，所述电路芯片还包括制成于所述顶层硅(4)的集成电路(1)，至少部分所述导电导热柱(2)端部与所述集成电路(1)电学连接。

2.根据权利要求1所述的散热集成的电路芯片，其特征在于，所述集成电路(1)配置有电学焊盘(7)，至少部分所述导电导热柱(2)端部电学连接所述电学焊盘(7)实现与所述集成电路(1)的电学连接。

3.根据权利要求2所述的散热集成的电路芯片，其特征在于，与所述集成电路(1)具备电学连接的导电导热柱(2)位于所述集成电路(1)在所述底层硅(6)的投影区域的之外。

4.权利要求3所述的散热集成的电路芯片的制作方法，其特征在于，包括

制作集成电路的步骤，SOI片的顶层硅(4)表面制作集成电路(1)，并于所述集成电路(1)表面制作电学焊盘(7)，及如下步骤：

步骤1、刻蚀预设参数的SOI片的底层硅(6)至绝缘层(5)形成多个垂直通孔(9)；

步骤2、于各所述垂直通孔(9)的内侧壁制作电学隔离层(3)；

步骤3、刻蚀垂直通孔(9)底部的绝缘层(5)；

步骤4、于各所述垂直通孔(9)内制作导电导热柱(2)；

步骤5、刻蚀至少部分导电导热柱(2)端部的顶层硅(4)，以露出导电导热柱(2)端部；

步骤6、制作金丝线(8)以电学连接集成电路(1)的电学焊盘(7)与步骤5中露出端部的导电导热柱(2)。

5.根据权利要求4所述的散热集成的电路芯片的制作方法，其特征在于，于所述集成电路(1)表面制作电学焊盘(7)的步骤为利用溅射工艺。

6.根据权利要求4所述的散热集成的电路芯片的制作方法，其特征在于，步骤1中刻蚀底层硅(6)采用深硅刻蚀工艺，绝缘层(5)用于实现所述深硅刻蚀工艺的自停止效应，所述垂直通孔(9)的直径范围为50-200μm。

7.根据权利要求4所述的散热集成的电路芯片的制作方法，其特征在于，步骤2中所述制作电学隔离层(3)方法为采用热氧化工艺于垂直通孔(9)的内侧壁制作热氧层。

8.根据权利要求4所述的散热集成的电路芯片的制作方法，其特征在于，步骤3中所述刻蚀为采用干法/湿法蚀刻工艺刻蚀垂直通孔(9)底部的绝缘层(5)。

9.根据权利要求4所述的散热集成的电路芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤4、于所述垂直通孔(9)内制作导电导热柱(2)以熔融金属或者金属纳米颗粒填充方法，实现垂直通孔(9)内的金属化，形成导电导热柱(2)。

10.根据权利要求4所述的散热集成的电路芯片的制作方法，其特征在于，步骤5、刻蚀至少部分导电导热柱(2)端部的顶层硅(4)采用反应离子刻蚀工艺。