[发明专利]一种多孔金银自支撑膜及其制备方法有效
申请号: | 201910078065.0 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN109750264B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 刘学;乐国敏;李晋锋;王斗 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院材料研究所 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/18;C23C14/58;C23F1/30;C23F1/44 |
代理公司: | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人: | 陈春华 |
地址: | 610200 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 金银 支撑 及其 制备 方法 | ||
本发明属于材料科学与工程领域,特别涉及一种多孔金银自支撑膜的制备方法。本发明选取可溶于水的NaCl晶片作为基板,通过腐蚀磁控溅射的合金层制备多孔金银自支撑膜,为制备多孔金银自支撑膜提供新的技术途径。本发明提出的多孔金银自支撑膜的制备方法,相较于其他多孔金银自支撑膜的制备方法,无需对多孔金银膜进行剥离,避免了剥离过程中多孔金银膜的损伤,可控性强,产品重复性好。
技术领域
本发明属于材料科学与工程领域,具体涉及一种多孔金银自支撑膜及其制备方法。
背景技术
多孔金银自支撑膜在催化、传感、过滤等领域具有重要应用。目前虽然已经开发出多种技术用于制备多孔金银属膜,但由于多孔金银膜一般较脆,难以从基板上进行剥离,从而难以制备多孔金银自支撑膜。现有技术中,一般采用先腐蚀基板,再去合金化,以得多孔金银自支撑膜。但是采用这种方法工艺繁杂,在腐蚀基板的同时,也可能对合金造成不良影响,从而影响最终成品多孔金银自支撑膜的质量。
因此,提供一种多孔金银自支撑膜的制备方法,工艺简单,操作简便,能快速有效地分离基板,并且不影响最终成品质量,成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是:提供一种多孔金银自支撑膜的制备方法,解决现有技术中工艺繁杂,难以制备多孔金银自支撑膜的问题。
本发明还提供了采用该制备方法制成的多孔金银自支撑膜。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
本发明所述的一种多孔金银自支撑膜的制备方法,以NaCl晶片为基片,在所述NaCl晶片上溅射形成一层Au-Ag合金溅射层,再腐蚀去合金化,并同时溶解NaCl晶片后,干燥,即可获得多孔金银自支撑膜。
进一步地,包括以下步骤:
步骤1.以NaCl晶片作为基片,在高纯氩环境中将Au-Ag合金靶材溅射在NaCl晶片上,或将Au靶材及Ag靶材交替溅射在NaCl晶片上,形成一定厚度的溅射层;
步骤2.将经步骤1处理后的溅射有合金层的NaCl晶片放置于浓硝酸中去合金化,并溶解NaCl晶片后,干燥,即可获得多孔金银自支撑膜。
进一步地,所述步骤1中,采用Au靶材及Ag靶材交替溅射在NaCl晶片上时,形成一定厚度的合金溅射层后取出,放置于氩气保护或真空炉体中,加热至450℃~750℃退火30min以上。
进一步地,所述NaCl晶片为将NaCl晶块沿解理面敲击获得,或沿某晶面定向切割获得。
进一步地,所述Au-Ag合金溅射层中Au、Ag原子比范围为50:50~20:80。
进一步地,所述Au-Ag合金溅射层面积大于3mm×3mm,厚度为5nm~100μm。
进一步地,所述多孔金银属自支撑膜的孔径为10nm~60nm。
进一步地,所述多孔金银属自支撑膜中成分中Au、Ag原子比范围为50:50~100:0。
本发明还提供了采用上述的制备方法制成的多孔金银自支撑膜。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明设计科学,操作简单,采用本发明方法制备多孔金银自支撑膜,在去合金化的同时,能溶解作为基片的NaCl晶片,无需对多孔金银膜进行剥离,避免了剥离过程中多孔金银膜的损伤;也避免了两次腐蚀对多孔金银膜的损伤。
本发明工艺可控性强,产品质量稳定,重复性好。
附图说明
图1为本发明实施例1中Au-Ag合金层退火后样品的XRD图谱。
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