[发明专利]静电防护电路及制造方法、静电防护模块及液晶显示装置

权利要求书

1.一种静电防护电路，其特征在于，包括N个薄膜晶体管，N为大于1的整数；N个薄膜晶体管依序连接设置在第一电极线和第二电极线之间；所述薄膜晶体管从下往上依次包括：

第一金属层，包括第一栅极以及与第一栅极连接的第一源漏极；

栅极绝缘层，覆盖第一金属层，所述栅极绝缘层设有位于第一源漏极上的第一开孔；

半导体层，位于栅极绝缘层上，所述半导体层通过第一开孔与第一源漏极接触；

刻蚀保护层，覆盖半导体层，所述刻蚀保护层设有位于第一栅极上的第二开孔；

第二金属层，覆盖刻蚀保护层，所述第二金属层包括覆盖第二开孔的第二源漏极以及与所述第二源漏极连接的第二栅极；

其中，与第一栅极对应的一段半导体层中靠近第一栅极的一侧为前沟道，与第二栅极对应的一段半导体层中靠近第二栅极的一侧为背沟道；

正向时，半导体背沟道导电，电荷从第二源漏极往第一源漏极方向流通；反向时，半导体前沟道导电，电荷从第一源漏极往第二源漏极方向流通。

2.一种静电防护电路的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：沉积第一金属层，对第一金属层进行图案化形成第一栅极以及与第一栅极连接的第一源漏极；

S2：形成覆盖第一金属层的栅极绝缘层，对所述栅极绝缘层进行刻蚀形成位于第一源漏极上的第一开孔；

S3：形成位于栅极绝缘层上的半导体，所述半导体层通过第一开孔与第一源漏极接触；

S4：形成覆盖半导体层的刻蚀保护层，对刻蚀保护层进行刻蚀形成位于第一栅极上方的第二开孔；

S5：形成覆盖刻蚀保护层的第二金属层，对第二金属层进行图案化形成覆盖第二开孔的第二源漏极以及与所述第二源漏极连接的第二栅极，所述第二栅极位于第一源漏极的上方。

3.一种静电防护模块，其特征在于，包括多个权利要求1所述的静电防护电路串联而成。

4.一种液晶显示装置，包括周边区域和显示区域，其特征在于，周边区域设有权利要求3所述的静电防护模块，所述静电防护模块由多个静电防护电路串联形成。

5.一种静电防护电路，其特征在于，包括N个薄膜晶体管，N为大于1的整数；N个薄膜晶体管依序连接设置在第一电极线和第二电极线之间；所述薄膜晶体管从下往上依次包括：

金属遮光层包括第一栅极以及与所述第一栅极连接的第一源漏极；

缓冲层，覆盖金属遮光层，所述缓冲层设有位于第一源漏极上的第一开孔；

半导体层，位于缓冲层上，所述半导体层通过第一开孔与第一源漏极接触；

栅极绝缘层，覆盖半导体层，所述栅极绝缘层设有位于第一栅极上的第二开孔；

金属层，覆盖栅极绝缘层，所述金属层包括覆盖第二开孔的第二源漏极以及与所述第二源漏极连接的第二栅极；

其中，与第一栅极对应的一段半导体层中靠近第一栅极的一侧为前沟道，与第二栅极对应的一段半导体层中靠近第二栅极的一侧为背沟道；

正向时，半导体背沟道导电，电荷从第二源漏极往第一源漏极方向流通；反向时，半导体前沟道导电，电荷从第一源漏极往第二源漏极方向流通。

6.一种静电防护电路的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：沉积金属遮光层，对金属遮光层进行图案化形成第一栅极以及与第一栅极连接的第一源漏极；

S2：形成覆盖金属遮光层的缓冲层，对所述缓冲层进行刻蚀形成位于第一源漏极上的第一开孔；

S3：形成位于缓冲层上的半导体，所述半导体层通过第一开孔与第一源漏极接触；

S4：形成覆盖半导体层的栅极绝缘层，对所述栅极绝缘层进行刻蚀形成位于第一栅极上的第二开孔；

S5：形成覆盖栅极绝缘层的金属层，对金属层进行图案化形成覆盖第二开孔的第二源漏极以及与所述第二源漏极连接的第二栅极。

7.一种静电防护模块，其特征在于，包括多个权利要求5所述的静电防护电路串联而成。

8.一种液晶显示装置，包括周边区域和显示区域，其特征在于，周边区域设有权利要求7所述的静电防护模块，所述静电防护模块由多个静电防护电路串联形成。