[发明专利]基于高配比抛光液的LED用蓝宝石晶片数控抛光方法在审
| 申请号: | 201910074761.4 | 申请日: | 2019-01-25 |
| 公开(公告)号: | CN109623508A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
| 发明(设计)人: | 吴康;邓源;黄微 | 申请(专利权)人: | 云南蓝晶科技有限公司 |
| 主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00 |
| 代理公司: | 昆明盛鼎宏图知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 53203 | 代理人: | 许竞雄 |
| 地址: | 653100*** | 国省代码: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 抛光液 高配比 蓝宝石晶片 抛光 数控抛光 研磨抛光 旧料 新料 原液 方案解决 回收处理 抛光成本 抛光过程 循环抛光 循环研磨 一次循环 挥发量 体积比 补液 单片 打扫 清洗 配置 | ||
本发明公开了基于高配比抛光液的LED用蓝宝石晶片数控抛光方法,包括以下步骤:1)配置高配比抛光液,作为抛光液新料;2)采用循环抛光对蓝宝石晶片表面进行研磨抛光;3)将一次循环研磨抛光产生的剩余抛光液回收处理,作为抛光液旧料;4)在下次循环研磨抛光过程中,根据抛光液新料的挥发量添加抛光液旧料进行补液;所述高配比抛光液包括有抛光原液和水;所述高配比抛光液由抛光原液和水按照1:n的体积比均匀混合后得到;n的取值范围为1‑3;本发明所采取的技术方案解决了目前LED用蓝宝石晶片抛光的方法使得单片抛光成本偏高以及结晶程度较高导致不容易清洗打扫的问题。
技术领域
本发明涉及LED用蓝宝石晶片抛光技术领域,具体涉及一种基于高配比抛光液的LED用蓝宝石晶片数控抛光方法。
背景技术
蓝宝石α-Al2O3单晶体具有优良的光学、力学、热学、介电、耐腐蚀等性能,随着市场竞争的不断加大,如何生产出性能和价格都更合适的产品,才能抢占市场的先机,所以在保证质量的同时,成本优势就尤为重要,为了控制加工成本,需要在原材辅料上进行不断地优选改进,而对于抛光来说,抛光液成本是最高的一项,如何缩减抛光液的使用成本,成为必须攻克的难题;
目前,蓝宝石晶片抛光使用的抛光液主要是氧化硅抛光液,购买的都是抛光原液,成本都较高,使用方法也都是采用1(原液):1(水)的体积进行混合配比,但用下来单片抛光成本偏高,随着竞争的加剧,过高的成本很难抢占市场,且采用1:1的体积比混合使用结晶程度较高导致不容易清洗打扫的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于高配比抛光液的LED用蓝宝石晶片抛光方法,解决目前LED用蓝宝石晶片抛光的方法使得单片抛光成本偏高以及结晶程度较高导致不容易清洗打扫的问题。
为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:一种基于高配比抛光液的LED用蓝宝石晶片数控抛光方法,包括以下步骤:
1)配置高配比抛光液,作为抛光液新料;
2)采用循环抛光对蓝宝石晶片表面进行研磨抛光;
3)将一次循环研磨抛光产生的剩余抛光液回收处理,作为抛光液旧料;
4)在下次循环研磨抛光过程中,根据抛光液新料的挥发量添加抛光液旧料进行补液;
进一步的,所述高配比抛光液包括有抛光原液和水;所述高配比抛光液由抛光原液和水按照1:n的体积比均匀混合后得到;n的取值范围为1-3;
进一步的,所述抛光原液的粒径范围为80nm-126nm;所述抛光原液中的颗粒物质均为多棱角结构;
进一步的,所述对剩余抛光液回收处理的方法为过滤;通过过滤除掉研磨抛光产生的蓝宝石晶片颗粒;
进一步的,循环抛光开始时采用初始抛光液;所述初始抛光液为抛光液新料混合等体积的抛光液旧料或全部采用抛光液新料;
进一步的,所述初始抛光液采用抛光新料混合等体积的抛光液旧料时,循环抛光中途根据挥发程度添加抛光液新料进行补充;
进一步的,所述初始抛光液全部采用抛光液新料时,循环抛光中途根据挥发程度添加抛光旧料进行补充;
更进一步的技术方案是所述循环抛光的抛光压力为245g/cm2,抛光温度为60℃,下盘转速为55rpm。
与现有技术相比,本发明的有益效果是至少是如下之一:
1、通过提高抛光液配比,由原来的1:1依次提高到1:1.2;1:1.5;1:2等多个配比,最终评估了加工后质量数据,在质量得到保证的同时,尽可能增大配比,同样的一桶原液,通过增加配比,有效提升了抛光数量,降低了单片成本;
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