[发明专利]发光结构、发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光结构，其特征在于，包括设置在基底第一表面用于发射第一波长光线的第一发光子结构和设置在基底第二表面用于发射第二波长光线的第二发光子结构，所述第一表面和第二表面是所述基底相互背离的表面；

所述第一发光子结构包括在所述基底的第一表面上依次叠设的第一反射层、第一n型接触层、第一多量子阱、第一p型接触层，以及设置在所述第一n型接触层上的第一n接触电极和设置在所述第一p型接触层上的第一p接触电极，所述第一多量子阱用于发射所述第一波长光线；所述第二发光子结构包括在所述基底的第二表面上依次叠设的第二反射层、第二n型接触层、第二多量子阱、第二p型接触层，以及设置在所述第二n型接触层上的第二n接触电极和设置在所述第二p型接触层上的第二p接触电极，所述第二多量子阱用于发射所述第二波长光线。

2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述第一反射层包括设置在所述基底的第一表面上的第一缓冲层和设置在所述第一缓冲层上的第一分布式布拉格反射镜层；所述第二反射层包括设置在所述基底的第二表面上的第二缓冲层和设置在所述第二缓冲层上的第二分布式布拉格反射镜层。

3.根据权利要求1或2所述的发光结构，其特征在于，所述第一波长光线包括第一颜色光，所述第二波长光线包括第一颜色光互补光。

4.一种发光二极管，其特征在于，包括如权利要求1～3任一所述的发光结构，还包括反射杯和透明出射层，所述反射杯用于收容所述发光结构，所述透明出射层填充所述反射杯，并形成出射混合光的出光面。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述反射杯包括杯底和环形杯壁，所述环形杯壁设置在所述杯底上，形成收容所述发光结构的收容腔；所述发光结构设置在所述杯底上，所述第一发光子结构和第二发光子结构的出光方向朝向所述反射杯的环形杯壁，所述杯底和环形杯壁上设置有反光层。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于杯底的平面，所述反射杯的截面形状为倒梯形，在平行于杯底的平面，反射杯的截面形状为圆形、椭圆形或多边形。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述倒梯形的两侧边为直线、弧线或折线。

8.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述出光面的形状为凸出所述反射杯的弧线形。

9.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于杯底的平面，所述基底的截面形状包括矩形或梯形。

10.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

制备发光结构，所述发光结构包括形成在基底第一表面用于发射第一波长光线的第一发光子结构和形成在基底第二表面用于发射第二波长光线的第二发光子结构，所述第一表面和第二表面是所述基底相互背离的表面；所述第一发光子结构包括在所述基底的第一表面上依次叠设的第一反射层、第一n型接触层、第一多量子阱、第一p型接触层，以及设置在所述第一n型接触层上的第一n接触电极和设置在所述第一p型接触层上的第一p接触电极，所述第一多量子阱用于发射所述第一波长光线；所述第二发光子结构包括在所述基底的第二表面上依次叠设的第二反射层、第二n型接触层、第二多量子阱、第二p型接触层，以及设置在所述第二n型接触层上的第二n接触电极和设置在所述第二p型接触层上的第二p接触电极，所述第二多量子阱用于发射所述第二波长光线；

将所述发光结构设置在反射杯内；

透明出射层填充所述反射杯，并形成出射混合光的出光面。