[发明专利]一种透明导电膜

说明书

本发明涉及一种透明导电膜，其中包括透明基材，第一透明导电介质保护层，第一金属保护层，金属导电层，第二金属保护层及第二透明导电介质保护层。当中的金属保护层为钼、钼合金、稀土单质或者稀土合金，金属导电层为银铝铜合金。本发明除了提升银合金膜的耐腐蚀特性外，还因三层金属共同降低了电阻率，提升了银合金的导电特性。特别的由于没有引入特殊元素，沿用了行业里惯用的钼及钼合金，在刻蚀方面无需特殊工艺即可满足生产要求。

技术领域

本发明涉及电子产品，具体涉及一种透明导电膜。

背景技术

近年来，随着柔性穿戴用品、太阳能电池、电致变色、3D曲面显示、TFT-LCD和OLED等向大型化，对于低成本的低电阻、高透过率的透明导电的要求日益严格，ITO已经不能满足于基本的柔性基材需求，于是延伸出一系列的低电阻、高透过率的可供人们选择的对象，比如：Metal Mesh、纳米银线、碳纳米管及石墨烯，然而当中只有Metal Mesh、纳米银线发展较为成熟，也是目前能够替代ITO的主要材料。可是Metal Mesh制备过程复杂，价格昂贵，性价比不高；而纳米银线在使用过程中容易发生电化学腐蚀，产生短路，造成次品。

在实施当中，很多文献专利揭示使用ITO叠堆银结构来降低面电阻，且为了降低使用的ITO膜透明导电体的电阻，相应的增加了ITO膜的厚度，或者通过热退火(thermalannealing)来进行ITO膜的结晶化。但是，如果将ITO膜实施厚膜化则透过率降低。另外，在高温条件下对薄膜基材实施热退火处理通常很困难。因此，在设置于薄膜基材上的ITO膜的情况下，处于难以既维持高透过率又降低电阻的状况。

又因氧化锌基透明导电膜相对于ITO透过率对基片温度的敏感性低于ITO,可以在低温下沉积高透过率的透明导电膜，且沉积速率高，溅射功率低，特别适合于柔性基材，并且Al、In、Ga、Ge、Zr、Mo、B、Sc等掺杂的氧化锌基导电薄膜已经得到了广泛的运用。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种透明导电膜，除提升银合金膜的耐腐蚀特性外，还因三层金属共同降低了电阻率，提升了银合金的导电特性。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种透明导电膜，如图1所示，包括由下往上层叠设置的透明基材10，第一透明导电介质保护层20和/或第一金属保护层30，金属导电层40，第二金属保护层50和/或第二透明导电介质保护层60。

其中，透明基材10，主要是具有可挠折性的有机树脂薄膜，有机树脂薄膜主要为具有一定透过性的，如PC、PET、PEN、PMMA、COP等。

金属导电层40为银铝铜三元合金层，其比例为：铜在银中添加量0.2-5wt％，铝在银中添加量0.2-5wt％，余量为银，所述金属导电层的厚度在1-12纳米之间。

第一金属保护层30和第二金属保护层50，分别由钼、钼合金、稀土单质、稀土合金中的至少一种或两种以上组成，其厚度在0.5-5纳米之间。

所述钼合金主要为钼铌、钼钽、钼钨、钼铜、钼铬、钼钕、钼锆、钼铪、钼钛及钼钒合金，所述稀土合金为Y、La、Ce、Fr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中至少一种或者两种以上合金。

第一透明导电介质保护层20及第二透明导电介质保护层60是导电介质,主要是导电氧化物，分别由AZO、GZO、YZO、BZO的至少一种或两种以上组成,或者由V、Cr、Co、In的至少一种掺杂在AZO、GZO、YZO、BZO中的至少一种中组成，其厚度在5-100纳米之间。

与现有技术相比，本发明除了提升银合金膜的耐腐蚀特性外，还因三层金属共同降低了电阻率，提升了银合金的导电特性。特别的由于没有引入特殊元素，沿用了行业里惯用的钼及钼合金，在刻蚀方面无需特殊工艺即可满足生产要求。

附图说明